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Picor Micro-Ohm MOSFET 场效应管

文件来源:Foo Kee-福基电子有限公司
文件类型:pdf
更新时间:2012-12-19
文件大小:149K
PI5101 μRDS(on)FET™ 方案结合了一个高质素的5V, 360 μΩ 横向N 沟道的场效应管和利用一个祗有4.1mm x 8mm x 2mm 的LGA(Land Grid Array)封装, 使产品于工业标准的SO-8封装范围内达到世界级水平.
本文链接:http://www.cntronics.com/cp-dl/988
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