能源电力-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

能源电力

导通/截止比达到2.54万倍的4端子石墨烯晶体管

日本试制出逻辑元件用4端子石墨烯晶体管，晶体管沟道部分的尺寸为长20nm、宽30nm，导通/截止比达到2.54万倍。

2012-12-14

石墨烯晶体管导通/截止比

第三讲：对漏感与分布电容的影响进行数学分析

临近岁末，《电子元件技术网》为培养社区顶级设计工程师而精心打造的造星平台---大讲台将为大家带来一波又一波的惊喜，最新推出的是社区技术专家陶显芳老师倾情打造的最新贺岁力作：单激式开关电源漏感与分布电容对输出波形的影响，以及RCD尖峰脉冲吸收电路参数的计算实例。本站将分五讲为大家披露...

2012-12-14

开关电容漏感电容陶显芳

标准具滤波器：零温度特性、高精度、高可靠性、小型化

标准具滤波器是一种在光通信大容量传输系统中感测多个不同光波长偏差的元件。此次京瓷通过在业界首次采用原子扩散接合法，成功实现了标准具滤波器的零温度特性、高精度、高可靠性及小型化。此产品将于明年1月起提供样品，由京瓷负责销售。

2012-12-14

滤波器京瓷晶圆

峰值效率高达95%的DC-DC稳压器

ADI推出转换效率超过95%的紧凑型开关稳压器，在-40°C至+125°C结温范围内工作，采用紧凑型4 mm x 4 mm 24引脚LFCSP封装。同步输入，可将输入纹波电流减至最小，并简化输入滤波器设计

2012-12-14

ADI DC-DC 稳压器

如何同步多个ADC并行输出，解决工程师困扰？

通过多个模数转换器(ADC)对多个模拟输入信号进行同时采样，可以满足许多通信、仪器仪表和信号采集系统需要。然而，经过采样得到的数据需被处理，才能实现各个通道的同步，同时他们也有各自有不同的时延。这个问题一直成为使用LVDS和并行输出ADC的系统工程师的困扰。

2012-12-14

ADC 发射器系统时钟

第一讲：电磁骚扰问题的故障点定位与分析

电磁骚扰问题的故障如何定位？从产品内主要电磁骚扰源分析骚扰源定位、产品连续传导发射问题故障定位、产品断续传导发射问题故障定位、产品辐射骚扰问题故障定位、骚扰功率问题故障定位6大方面让你从容应对电磁骚扰问题故障！

2012-12-13

电磁骚扰 EMI EMC

第二讲：漏感与分布电容对输出波形的影响

2012-12-13

漏感电容开关电源陶显芳

GaN压力来袭，降低成本是SiC器件大规模商用的前提

受限于价格过高等因素，迄今为止各种SiC功率器件产品系列的实际应用都很少。随着降低环境负荷的要求日益提高，传统Si材料功率器件的局限性越来越突出。新一代材料SiC功率器件具有体积小、高效率、高耐温等优点，受到越来越多的重视，研发生产日益活跃。然而，SiC器件何时才会实现大规模商用，成为业...

2012-12-13

SiC器件 MOSFET 罗姆

明年量产的GaN功率元件将替代SiC元件

GaN功率元件与现有的Si相比可大幅削减电力损失，作为新一代功率半导体材料与SiC一样备受关注。SiC功率元件不断得到空调、音响设备、工业设备及铁路车辆的逆变器等的采用，而GaN功率元件在应用方面却一直落后于SiC。

2012-12-13

GaN SiC 元件

首页上一页 427 428 429 430 431 432 433 434 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

导通/截止比达到2.54万倍的4端子石墨烯晶体管

第三讲：对漏感与分布电容的影响进行数学分析

标准具滤波器：零温度特性、高精度、高可靠性、小型化

峰值效率高达95%的DC-DC稳压器

如何同步多个ADC并行输出，解决工程师困扰？

第一讲：电磁骚扰问题的故障点定位与分析

第二讲：漏感与分布电容对输出波形的影响

GaN压力来袭，降低成本是SiC器件大规模商用的前提

明年量产的GaN功率元件将替代SiC元件

友情链接(QQ：317243736)