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从过流、过压、过热三方面讲述IGBT保护电路如何设计
本文从过流保护、过压保护与过热保护三个方面，论述了IGBT的相关问题，并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好，是IGBT保护电路设计必备知识。
2013-01-05
IGBT 保护电路 过流保护
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锂电池保护电路如何设计？
随着便携式设备不断小型化、轻量化和高性能化的日益提高，作为其电源的二次电池市场正迅速拓宽，而锂离子电池的众多优点使其成为了二次电池的主流产品。
2013-01-05
锂电池 保护电路 电路设计
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PCB工程师必看
在PCB设计中如何最大限度地实现电路的性能指标，以达到电磁兼容要求。
2013-01-05
PCB 设计 电磁兼容
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MEMS设计的高度复杂性的体现
针对困扰MEMS发展的制约因素，人们一直在寻求相应的解决办法。国外的研究结果显示，MEMS的加工能力强于其设计能力。因此，提高MEMS的设计能力就更为迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微机电
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适用于用于电信系统和POE网络应用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要竞争对手，分别构建。的低导通电阻减小导通损耗，并允许器件工作在较低的温度下。
2013-01-05
MOSFET 电信系统 网络应用
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比较不同的电路保护技术及滤波技术
消费者要求智能手机等便携/无线设备具有更多功能特性及采用纤薄型工业设计，这就要求设计人员要求更加注重小外形封装之中的ESD及EMI性能。静电放电(ESD)保护及电磁干扰(EMI)正在成为所有电气设备越来越重要的考虑因素。本文将分析电路保护要求，比较不同的电路保护技术及滤波技术，介绍安森美半导体...
2013-01-05
电路保护 滤波 安森美
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低钳位电压的TVS，非常实用USB3.0 接口保护
由于USB3.0的速率非常快，端口的ESD保护越来越重要，这就要求保护器件不能影响这个信号质量。Semtech新的TVS最大的优势在于非常低的ESD钳位电压，这对敏感的USB3.0芯片起到很好的保护作用。
2013-01-05
TVS USB3.0 ESD
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适用于智能电网的新型锂离子电容器
太阳诱电开发出最高使用温度高达85℃的圆筒型锂离子电容器，在3.8V电压下也可于70℃环境下工作，适用于智能电网、为SSD储存服务器。
2013-01-05
电网 锂离子 电容
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MDO能够很好的解决EMI和EMC
MDO拥有独特的功能，可以把多个域中的原因和结果关联起来，这标志着测试设备的根本性变革，在调试EMI问题时打开了新的、当然也是更简便的道路。
2013-01-05
MDO EMI EMC
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