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能源电力

测量高频PWM实时功率的乘法器电路

对于电机或伺服器这些需要精确监视或调节负载耗散功率的产品来说，可以通过计算负载电压和电流的乘积来测量实际功率。但如果电压电流为高频波时，测量相应的功率并非易事，这就是脉宽调制(PWM)电机所面临的问题。

2011-10-12

工业光纤高压变频器弱电 PWM

对便携式音频设备的定量分析

便携式音频设备的特殊要求是产品设计的关键，产品A优于其竞争产品B，而且使用更理想的原因是什么? 从性能上看，竞争产品之间的频率响应平坦度和THD+N等指标相差不大，很难区分哪一个产品性能更好。从用户接口能够评判产品的主要差异，但这在很大程度上取决于主观评价。我们可以利用客观的音频性能指...

2011-10-12

便携式音频设备放大器噪声电平

小尺寸集成电路CDM测试

集成电路(IC)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这两种ESD测试类型旨在揭示包含基本ESD控制的制造环境下，电路在ESD应力下的存续情况如何。HBM是应用最久的ESD测试，但工厂ESD控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是...

2011-10-12

CDM测试 IC HBM 集成电路

Vishay的SiR662DP功率MOSFET获《今日电子》Top10 DC/DC电源产品奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。

2011-10-11

SiR662DP Vishay 功率MOSFET 电源产品

开关电源的干扰分析及其抑制措施

开关电源本身产生的干扰直接危害着电子设备的正常工作抑制开关电源本身的电磁噪声．是开发和设计开关电源的一个重要课题。简要地对开关电源电磁干扰产生、传播的机理进行了介绍，总结了几种主要的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的方法。

2011-10-11

开关电源干扰抑制

三相IGBT全桥隔离驱动电源设计

本文针对10 kW三相IGBT全桥变换器设计了一种隔离驱动电源，提供4路相互隔离的输出，每路输出均提供+15 V／-9 V电源。电源功率较小，考虑成本和效率，采用单端反激式结构。

2011-10-11

IGBT 全桥隔离驱动电源隔离驱动电源变换器

高压功率VDMOSFET的设计与研制

随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿...

2011-10-11

VDMOSFET 高压功率MOS管 MOSFET

适用于各种类型硬开关功率转换器的电能回收电路

本文论述一个新颖的简单的适用于各种类型硬开关功率转换器的电能回收电路，这个电路只需使用几个元器件：一个微型线圈、两个耦合辅助线圈和两个优化的PN二极管。而且，这个电路完全兼容任何一种PWM控制器。

2011-10-11

功率因数校正 BC² 能量回收

LED照明迎来行业大洗牌

在当前荧光粉价格10倍增长、节能灯成本陡增的关口，LED灯近期却因上游芯片降价而价格持续走跌。这将进一步撬动LED照明应用市场，加速LED照明的示范应用和普及，至2015年末我国的LED照明渗透率有望达到甚至超过20%，LED照明产业或将迎来行业大洗牌。

2011-10-11

LED LED照明电子信息 LED路灯

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