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能源电力

安华高科技推出适合固态照明应用的超小型封装3W高功率LED

ASMT-Jx32提供有140o的宽广视角，可以满足需要良好色彩一致性的设计需求，Avago的3W产品是一款可以处理高温和承受高驱动电流的高性能LED，ASMT-Jx32拥有135oC的最高结温，为照明设计工程师带来更高的设计灵活度。

2010-04-19

固态照明超小型高功率LED 安华高

东京农工大学开发出单层碳纳米管与钛酸锂复合而成的锂离子电容器

东京农工大学研究生院于2009年3月宣布，开发出了采用碳纳米纤维（CNF）与LTO复合而成的负极的锂离子电容器，与以往的采用活性炭的双电层电容器相比，实现了约3倍的能量密度。而且还表示，将完善由日本Chemi-Con定于2011年春季样品供货采用该技术的锂离子电容器的体制。

2010-04-19

东京大学单层碳纳米管钛酸锂锂离子电容器

IR上市导通电阻仅0.95mΩ的25V耐压功率MOSFET

据称，该功率MOSFET的导通电阻与全部栅极电荷量的乘积FOM（figure of merit，优值）为“业界最高”。全部栅极电荷量为标准50nC。最大栅源间电压为±20V，最大漏电流为37A。批量购买1万个时的单价为1.50美元。

2010-04-19

IR 导通电阻耐压功率MOSFET

2011年电路保护市场将持续增长

2011年，市场预测预测表明：表面贴装式压敏电阻将在手机和汽车电子市场持续成长；聚合物PTC热敏电阻在传统过流保护如笔记本电脑和上网本的USB防护和电池的二次防护方面得到发展；NTC热敏电阻的市场重心将偏向汽车和大型家庭用空调系统（其价值在于组件的生产，而不是热敏电阻本身）；气体放电管由于...

2010-04-16

过流保护过压保护电路保护

全球半导体设备资本支出衰退潮有望扭转

国际研究暨顾问机构Gartner发布最终统计结果，2009年全球半导体设备资本设备支出为166亿美元，较2008年衰退45.8%。在主要设备部门中，受到削减资本支出的冲击，晶圆厂设备支出大幅下滑47%，后端设备(BEE)支出亦减少40%。

2010-04-16

半导体设备资本支出衰退潮扭转

多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡

多晶硅产业将在2011年面临大幅震荡。此结论来源于Bernreuter信息研究公司（以下简称Bernreuter研究）今日发布的最新研究报告《太阳能多晶硅的生产状况》。多晶硅被视为半导体和光伏产业的供给原料，但在该市场于2009年转至供过于求的状态之前，多晶硅一直处于短缺。

2010-04-16

多晶硅面临大幅震荡 Bernreuter

供货商节制扩产被动组件全年缺货

被动组件自去年第四季起供应吃紧，厂商即使纷纷拉高产能利用率至满水位，还是跟不上客户拉货的脚步，库存逐步见底，国巨的成品库存天数由上季的23天，到第一季一口气掉到14天，为历史最低库存量。

2010-04-16

供货商节制扩产被动组件缺货

选择合适的OVP、OCP元器件应对电路保护设计挑战

随着电子系统越来越复杂，对各种电子系统的可靠性要求不断提高，各种电路保护元器件已经成为电子系统中必不可少的组成部分，保护器件厂商也需要紧跟电路设计的趋势开发出新型产品应对设计挑战。

2010-04-16

电路保护过压过流 SZ2010

Cree 宣布推出业界最节能的照明级中性白光和暖白光 LED

LED 照明领域的市场领先者Cree公司日前宣布色温介于2600 K-5000 K CCT 之间的暖白光与中性白光 XLamp® XP-G LED开始商用，这些获奖的 XP-G LED 帮助 Cree 再次刷新了在整个白光频谱范围内的最高光输出和效率记录，进而推动 LED 替代低效灯泡、进入室外及商业照明领域等普通照明应用的发展。

2010-04-16

Cree 照明 LED 灯泡

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