±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低绝对TCR- 最高可提供±0.01%的严格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
- 倒装芯片接头采用卷绕方式，可减少所需的电路板空间
- 可承受高达 25kV 的静电放电
- 电阻范围: 1 kΩ 至 10 kΩ
- 2000 个小时保持 ±0.005% 的负载寿命稳定率
- 高精度仪器放大器、桥接网络、差分放大器及电桥电路
- 医疗、测试及军用设备等
VFCD1505 可在同时蚀刻在公共衬底上的一块箔上的两个电阻间提供 ±0.01%（可低至 ±0.005 %）的严格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟踪。对设计人员而言，该一体化结构的电气特性可改进性能,并实现比分离电阻和配对设计更高的构建利用率。
VFCD1505 的倒装芯片接头采用卷绕方式，接头片位于电阻下方而不是侧面，因此可最大限度地减少所需的电路板空间。在由两个电阻和三个接头组成的分压器中，倒装芯片分压器在电阻下方配置三个垫片，而不是在侧面配置四个垫片。倒装芯片早期的缺点被认为是防碍检查焊流，但这一缺点后来通过采用 X 光和其他更先进的技术而得以克服。
VFCD1505 具有最强的静电放电抗扰能力，可承受高达 25kV 的静电放电，从而提高了产品的可靠性。在 1 kΩ 至 10 kΩ 的电阻范围内，分压器两面均可实现规定的电阻值。与所有 Vishay 箔电阻一样，VFCD1505 不受标准值限制，可提供“所要求”的电阻值（如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ），且不会增加成本或供货时间。
该器件的应用包括高精度仪器放大器、桥接网络、差分放大器及电桥电路中的比例臂,以生产具有超高稳定性和可靠性的产品，例如医疗、测试及军用设备等。可根据 EEE-INST-002 标准进行筛选 (MIL-PRF 55342)。
VFCD1505 可在温度为 70°C 时，连续 2000 个小时保持 ±0.005% 的负载寿命稳定率；0.1W 的额定功率（由两个电阻按其电阻值比例分摊）；小于 0.1PPM/V 的低电压系数；小于 -40 dB的电流噪声；及 0.05uV/°C 的热 EMF。该器件具有 1.0 纳秒的无振铃快速响应时间，并且采用无电感 (<0.08uH) 和无电容设计。
即使具有较低的 TCR 跟踪，电阻比率也可能会根据绝对 TCR 发生极大变化。为了确保良好的电阻比率稳定性，设计人员应利用绝对 TCR 尽可能低的电阻，如 VFCD1505，该器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技术制成，极大地降低了电阻元件对外加功率变化的敏感性。
在其他技术中，如薄膜与厚膜，即使电阻比率为 1:1，在相同功率负载条件下，电阻对之间仍有温差。这是由于各电阻因设计及/或制造容差产生的自身散热，及因封装内热阻差异产生的传热不对称所致，即使外加功率极小（接近零）也不例外。
目前，VFCD1505 分压器可提供样品，并已实现量产，样品供货周期为 72 小时，而标准订单的供货周期为 3 周。
