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电路设计中三极管和mos管的区别

我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。

2012-02-14

电路设计三极管 mos管双极晶体管

基于加载技术在天线小型化设计

随着现代军事通信系统中跳频、扩频等技术的应用，天线作为通信设备的前端部件，对通信质量起着至关重要的作用。然而传统的天线形式和功能在一定程度上不能跟上通信系统小型化的发展需求，寻求天线的全向性、小型化、宽带化、共用化成为天线研究中一个重要课题。

2012-02-14

加载技术天线带宽 RLC

PCB焊接工艺使用氮气的理由

焊接的一个行进中的问题是在回流焊接炉中使用氮气的好处。在这个主题上我遇到的问题至少每周一次。这个问题不是什么新问题。十年前，所订购的回流焊接炉至少一半规定有氮气容器。最近与回流焊接炉制造商的交谈告诉我，这个比例保持还是一样的，尽管使用氮气的关键理由现在再不是什么站得住脚的理由...

2012-02-14

PCB 焊接工艺氮气氟里昂

第五讲：专家解答电路保护设计的常见问题

本文整理工程师在电路保护设计中经常遇到的一些问题，精选出关于保险丝、防雷器件和ESD保护器件的选型及应用的问题，由资深电路保护设计专家给予专业权威的解答，旨在帮助工程师正确选择和使用电路保护器件，设计高可靠性的电路保护解决方案。

2012-02-13

电路保护保险丝熔断器防雷 ESD

HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺

2011年12月，广州成启半导体有限公司宣布，HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示，这次产品升级已经过一年准备和试产，将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整机效率，同时获得更好的成本控制能力，这意味着，HOMSEMI成为国内一线分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

晶闸管在高压软起动中的选型及应用

晶闸管电机软起动器的出现，弥补了传统软起动器的各种不足，很好地降低了电机的起动电流，降低了配电容量，延长了电机及相关设备的使用寿命。起动参数可视负载调整，易于维护。本文介绍晶闸管电机软起动器工作原理，晶闸管的选型及晶闸管的保护设计。

2012-02-13

晶闸管电机软起动过压过流

集成电路对EMI控制的影响

在考虑EMI控制时，设计工程师及PCB板级设计工程师首先应该考虑IC芯片的选择。集成电路的某些特征如封装类型、偏置电压和芯片的：工艺技术(例如CMoS、ECI、刀1)等都对电磁干扰有很大的影响。下面将着重探讨IC对EMI控制的影响。

2012-02-13

集成电路 IC EMI 电磁干扰

CHiL：IR推出多功能系列数字脉冲宽度调制控制器

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)，推出多功能系列CHiL数字脉冲宽度调制 (PWM) 控制器，大幅减少占位面积，并能提升多种中高端且性能极高的服务器、台式电脑及运算应用的效率。IR这六款新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2的标准，...

2012-02-13

CHiL IR 控制器

铅蓄电池再遭严打锂电池受益直接出位

去年由于血铅等各种污染问题严重，整个铅蓄电池行业迎来一场较大的整顿风暴，整个行业中众多企业在行业整顿中纷纷落马，市场对于锂电池的关注度瞬间上升，业内极为看好锂电池等新能源电池的发展前景，但是由于种种优势因素的存在，行业集中度进一步提供之后，为仅存的大型铅蓄电池提供了更佳的竞争...

2012-02-13

铅蓄电池锂电池锂离子电池环保

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