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EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器
爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器，其电容量范围介于0.1μF至1500μF，适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域，是钽电容器的价格合适的替代品。
2008-08-01
铝电解电容器
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EPCOS推出消费和工业电子应用表贴铝电解电容器
爱普科斯(EPCOS) 推出新型表贴铝电解电容器，其电容量范围介于0.1μF至1500μF，适用于4V DC至100 V DC的电压。此新型电容器适用于消费和工业电子领域，是钽电容器的价格合适的替代品。
2008-08-01
铝电解电容器
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S系列：Vishay改进的军用级高精度箔电阻
Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。
2008-07-30
箔电阻 S系列 军用级
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MCT 0603 AT：Vishay高性能专业汽车薄膜贴片电阻
Vishay宣布推出采用 0603 封装尺寸的业界首款专业汽车用薄膜贴片电阻，该电阻结合了高达 +175°C（1000 小时）的高工作温度以及先进额定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜贴片电阻 汽车电子
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MCT 0603 AT：Vishay高性能专业汽车薄膜贴片电阻
Vishay宣布推出采用 0603 封装尺寸的业界首款专业汽车用薄膜贴片电阻，该电阻结合了高达 +175°C（1000 小时）的高工作温度以及先进额定功率。
2008-07-30
MCT 0603 AT 薄膜贴片电阻 汽车电子
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻
Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“∆R，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔电阻 军用级
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻
Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“∆R，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔电阻 军用级
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STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET
意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET
意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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