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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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DG系列:Vishay八款高精度仪表应用模拟多路复用器与开关
日前,Vishay推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路复用器与开关
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列,该器件已通过AEC-Q200测试,并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求,同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列
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STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品
意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 场效应管
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STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品
意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列,用于包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求。新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 场效应管
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B827*系列:EPCOS大电流电磁兼容性电源线扼流圈
借助专为大电流应用而设计的型号,爱普科斯(EPCOS) 现已扩展其范围。其双重电源线扼流圈目前的电流能力可达54 A,新款B82725S*和B82726S*系列的电感值范围介于0.2至100 mH之间。B8274*系列的三重扼流圈目前拥有高达62 A的电流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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B827*系列:EPCOS大电流电磁兼容性电源线扼流圈
借助专为大电流应用而设计的型号,爱普科斯(EPCOS) 现已扩展其范围。其双重电源线扼流圈目前的电流能力可达54 A,新款B82725S*和B82726S*系列的电感值范围介于0.2至100 mH之间。B8274*系列的三重扼流圈目前拥有高达62 A的电流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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TSFF5510:Vishay宽视角新型高功率高速红外发射器
Vishay推出其首款宽视角、采用引脚封装的红外发射器,从而扩大了其光电子产品组合。通过其独特设计的镜头,TSFF5510具有 ±38º 视角,与标准的 5 mm 发射器相比,可提供更优异的性能。
2008-04-30
TSFF5510 红外发射器
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