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2010年1-2月电子信息产品进出口分析
进入2010年，我国电子信息产品进出口保持快速增长，但仍未完全恢复危机前水平。1-2月，电子信息产品进出口1241亿美元，同比增长41.7%，占全国外贸进出口总额的32.1%；其中出口720亿美元，同比增长34.6%，，占全国外贸出口35.3%；进口521亿美元，同比增长52.9%，占全国进口28.6%。
2010-04-01
电子信息产品 计算机 电子元器件 外贸
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V，电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V，电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V，电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料，工作频率高达800 kHz，适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH，典型额定电流为6.5A~9A，取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 电感
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料，工作频率高达800 kHz，适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH，典型额定电流为6.5A~9A，取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 电感
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料，工作频率高达800 kHz，适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH，典型额定电流为6.5A~9A，取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 电感
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IEEE 1902.1－RuBee即将替代RFID
IEEE在2007年初推出了新一代的短距离无线传输标准RuBee，不过与现有的低功率无线标准，如ZigBee、WiBree之类的技术比较起来，RuBee比较偏向于无线设频标签的补充技术，而不是通用的终端设备无线感测。本文对比RuBee与RFID说明各自的特点
2010-04-01
RuBee IEEE 1902.1 RFID
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USB3.0市场的因应策略与解决方案
当市场上的人听见USB3.0时，首先想到的是什么？十倍于USB2.0的速度(5GbpsVS.480mbps)更省电，更大供电量以及向下于USB2.0及1.1兼容。但以目前参与USB3.0市场的人来说，其实所面对的是更多十倍速，十倍速的竞争环境，包含十倍速出现的供应商，产品价格十倍速的下降，但大家仍没把握市场的成长率是不...
2010-04-01
USB3.0 市场推广 ecosystem
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