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TK系列:Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V,电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中,包括功率因数校正(PFC)设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列:Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V,电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中,包括功率因数校正(PFC)设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列:Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V,电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中,包括功率因数校正(PFC)设计和照明用镇流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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HA73:Bitechnologies推出DC/DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料,工作频率高达800 kHz,适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm,典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH,典型额定电流为6.5A~9A,取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC/DC 电感
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HA73:Bitechnologies推出DC/DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料,工作频率高达800 kHz,适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm,典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH,典型额定电流为6.5A~9A,取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC/DC 电感
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HA73:Bitechnologies推出DC/DC设计用的电感
HA73系列电感具有高饱和铁心材料,工作频率高达800 kHz,适用于高功率应用。器件尺寸为19.2mmx19.6mmx12.2mm,典型额定电感值为13.5 µH~29.5 µH,典型额定电流为6.5A~9A,取决于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC/DC 电感
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IEEE 1902.1-RuBee即将替代RFID
IEEE在2007年初推出了新一代的短距离无线传输标准RuBee,不过与现有的低功率无线标准,如ZigBee、WiBree之类的技术比较起来,RuBee比较偏向于无线设频标签的补充技术,而不是通用的终端设备无线感测。本文对比RuBee与RFID说明各自的特点
2010-04-01
RuBee IEEE 1902.1 RFID
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USB3.0市场的因应策略与解决方案
当市场上的人听见USB3.0时,首先想到的是什么?十倍于USB2.0的速度(5GbpsVS.480mbps)更省电,更大供电量以及向下于USB2.0及1.1兼容。但以目前参与USB3.0市场的人来说,其实所面对的是更多十倍速,十倍速的竞争环境,包含十倍速出现的供应商,产品价格十倍速的下降,但大家仍没把握市场的成长率是不...
2010-04-01
USB3.0 市场推广 ecosystem
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英飞凌创新600V RC IGBT可使多电机家电节能30%
洗衣机、冰箱、空调和洗碗机等家电使用的变频电机驱动装置,采用电子控制装置和一个开关电源,以便在不同使用条件下,达到最佳能效。英飞凌推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导通),可使变频电机设计更加经济高效,从而确保采用多个电机的家电实现...
2010-03-31
RC IGBT IGBT TRENCHSTOP 逆向导通 SZ2010 CEF 中国电子展
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