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电源及控制电路是半导体照明的关键
目前发展半导体照明产业的问题是:LED灯具用电源和控制电路、LD(半导体激光器)照明和半导体照明配套政策必须引起我们的高度重视。
2009-10-12
LED LD 照明
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电子元器件在电路仿真中的建模
计算机仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特点,已被广泛应用于电力电子电路(或系统)的分析和设计。目前各种仿真工具中都自带很多常用的元器件模型,但是自带模型库永远跟不上电子元器件的更新速度。这里针对建模的重要性和必要性,研究当前流行的电子电路仿真工具的电子元器件模型,提出...
2009-10-12
计算机仿真 建模的 参数建模法 子电路建模法
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FSSD06 /FSSD07 :飞兆半导体推出通信功能的存储器开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为手机、数码相机和便携应用设计人员提供两款存储器开关产品 FSSD06 和 FSSD07 ,扩展了普通处理器至安全数字(SD)、安全数字I/O (SDIO) 和多媒体卡 (MMC)等外设的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 开关 便携应用 手机
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FSSD06 /FSSD07 :飞兆半导体推出通信功能的存储器开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为手机、数码相机和便携应用设计人员提供两款存储器开关产品 FSSD06 和 FSSD07 ,扩展了普通处理器至安全数字(SD)、安全数字I/O (SDIO) 和多媒体卡 (MMC)等外设的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 开关 便携应用 手机
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FDFME3N311ZT:飞兆半导体实现高效率的升压开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飞兆半导体
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FDFME3N311ZT:飞兆半导体实现高效率的升压开关
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飞兆半导体
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安华高科技推出高速互连应用先进嵌入式光学引擎技术
Avago Technologies(安华高科技)10月2日宣布,公司已经开发出一项突破性的嵌入式光学引擎技术,可以为各种广泛的电子计算和消费类应用带来高速互连的能力。
2009-10-12
嵌入式光学引擎 Light Peak 安华高
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安华高科技推出高速互连应用先进嵌入式光学引擎技术
Avago Technologies(安华高科技)10月2日宣布,公司已经开发出一项突破性的嵌入式光学引擎技术,可以为各种广泛的电子计算和消费类应用带来高速互连的能力。
2009-10-12
嵌入式光学引擎 Light Peak 安华高
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安华高科技推出高速互连应用先进嵌入式光学引擎技术
Avago Technologies(安华高科技)10月2日宣布,公司已经开发出一项突破性的嵌入式光学引擎技术,可以为各种广泛的电子计算和消费类应用带来高速互连的能力。
2009-10-12
嵌入式光学引擎 Light Peak 安华高
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