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晶川电子荣获英飞凌2008年度KPI大奖
2008年11月18～20日，英飞凌（Infineon:原西门子半导体集团公开上市公司）在北京希尔顿逸林饭店举行了亚太地区代理商大会。参会代表来自英飞凌德国总部，亚太地区总部（新加坡），以及亚太地区的代理商近两百人。
2008-11-27
功率半导体器件 IGBT模块 晶闸管 电力二极管
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晶川电子荣获英飞凌2008年度KPI大奖
2008年11月18～20日，英飞凌（Infineon:原西门子半导体集团公开上市公司）在北京希尔顿逸林饭店举行了亚太地区代理商大会。参会代表来自英飞凌德国总部，亚太地区总部（新加坡），以及亚太地区的代理商近两百人。
2008-11-27
功率半导体器件 IGBT模块 晶闸管 电力二极管
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美国科学家制成首个等离子晶体管
据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途而定。最近科学家制作出一种新晶体管——一个微型电子计大小的等离子晶体管。
2008-11-27
等离子晶体管 晶体管
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美国科学家制成首个等离子晶体管
据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途而定。最近科学家制作出一种新晶体管——一个微型电子计大小的等离子晶体管。
2008-11-27
等离子晶体管 晶体管
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美国科学家制成首个等离子晶体管
据国外媒体报道，自从20世纪40年代晶体管出现以来，它一直是电脑和其他现代电子装置的核心元件。晶体管的作用是接通、关闭或者增强电流，晶体管有各种形状、大小和材质，这些主要根据它的用途而定。最近科学家制作出一种新晶体管——一个微型电子计大小的等离子晶体管。
2008-11-27
等离子晶体管 晶体管
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FDMA1027/2P853：飞兆半导体最薄MicroFET MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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FDMA1027/2P853：飞兆半导体最薄MicroFET MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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FDMA1027/2P853：飞兆半导体最薄MicroFET MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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FOD410xx系列：飞兆半导体最新TRIAC驱动光耦
飞兆半导体公司为工业设计人员提供一款能降低待机功耗多达2W的隔离解决方案，采用光隔离TRIAC驱动器满足1瓦倡议和能源之星等严格的标准规范。FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118系列过零 TRIAC驱动光耦用于驱动无缓冲器 分立功率TRIAC时，可省去RC缓冲器网络，能够节省线路板空间和驱动该电路所需...
2008-11-26
FOD410 FOD4108 FOD4116 FOD4118 TRIAC 光耦
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