机遇与挑战：

• 氧化物TFT有机会成为次世代TFT制程
• 夏普与三星计划量产氧化物TFT

IGZO为InGaZnO (铟镓锌氧化物)的缩写，系备受关注的次世代TFT技术，属氧化物TFT (Oxide TFT)的一种。DIGITIMES Research分析，与非晶硅(a-Si)TFT相较，氧化物TFT不仅电子移动度较高，且在TFT一致性、制造成本与制程温度，亦均与非晶硅TFT同水平，有机会成为次世代TFT制程。

氧化物TFT技术最早系由日本细野秀雄教授于1995年首次发表，而2004年由细野秀雄教授带领的日本东京大学研究团队，又发表采用IGZO薄膜制作的TFT元件，其后，南韩、日本与台湾相关厂商自2006年起陆续发表采氧化物半导体的试制品。

依全球FPD厂商于氧化物TFT技术发展动向来看，其应用面涵盖3D TV面板、可挠式显示器、透明显示器、超大尺寸电视数位信息显示器等应用领域。

而在韩国与日本主要LCD面板厂中，以三星与夏普启用氧化物TFT产线量产脚步将较快，其中，DIGITIMES Research说明，三星运用氧化物TFT技术，主要在使3D TV面板达到UD级高分辨率与480Hz高倍速驱动，其计划最快于2012年推出采该面板的3D TV新品，依此来看，三星启用氧化物TFT产线量产的时间，应将落在2011年下半至2012年之间。

至于夏普启用氧化物TFT产线量产的时间，则可能落在2011年底，而相较于三星以氧化物TFT发展次世代3D TV，夏普则将优先供应平板装置与智能型手机用途，于此背景下，2012年LCD制程可望迈入新阶段。