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基于模型的GAN PA设计基础知识：GAN晶体管S参数、线性稳定性分析与电阻稳定性
在简单的线性射频/微波放大器设计中，一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络，以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中，使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要性。文中介绍使用模型和电阻稳定性技术来帮...
2021-11-16
GAN晶体管 S参数 电阻稳定性
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分析无芯变压器栅极驱动器
功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间，ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器，以实现稳健的隔离，这对SiC技术尤其有用。碳化硅已被引入工业和汽车市场的广泛应用中，包括太阳能逆变器，所有类型的高压电源和汽车车载电池充电器。
2021-11-15
无芯变压器 栅极驱动器
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适用于工业应用的 NAND 闪存
如今，在 NAND 闪存行业中，随处可见存储密度又达到新高的各种新闻。闪存早已实现了 100 层以上的技术，并且在短期内似乎并没有遇到瓶颈的迹象。
2021-11-15
工业应用 NAND 闪存
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运算放大器输出电压反向问题：正确选型，轻松化解！
当运算放大器的其中一个内部级不再具有足够的偏置电压并因此关闭时，通常会出现这种情况。这将导致输出电压摆幅到相反的供电轨上，直至输入返回到共模范围，如下所示（在电压跟随器中）。请注意，输入仍可位于电源电压轨中，但只能高于或低于某个指定共模限值。
2021-11-12
运算放大器 电压反向
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在选择SoC和专用音频DSP时，这些问题你应该考虑到！
低延时、实时声学处理是许多嵌入式处理应用的关键因素，其中包括语音预处理、语音识别和主动降噪(ANC)。随着这些应用领域对实时性能的要求稳步提高，开发人员需要以战略思维来妥善应对这些要求。
2021-11-12
SoC 专用音频DSP
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如何最大限度减小电源设计中输出电容的数量和尺寸？
电源输出电容一般是100 nF至100 μF的陶瓷电容，它们耗费资金，占用空间，而且，在遇到交付瓶颈的时候还会难以获得。所以，如何最大限度减小输出电容的数量和尺寸，这个问题反复被提及。
2021-11-12
电源设计 输出电容
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二极管串联不均压因素分析
二极管串联不均压主要原因来自自身和外部两类。自身原因主要由加工工艺造成的，外因主要是由外部电路造成的。同一批次生产出来二极管的伏安特性不一致，造成二极管的静态不均压；反向恢复时间及开通状态的不一致造成二极管的动态不均压目。外部电路设计会造成杂散电感和电容，在高压高频环境中会造...
2021-11-11
二极管 串联
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可视化的片上网络（NoC）性能分析
Achronix 最新基于台积电（TSMC）的7nm FinFET工艺的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二维片上网络（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可编程逻辑结构上运行的高速公路网络一样，为FPGA外部高速接口和内部可编程逻辑的数据传输提供了超高带宽。
2021-11-11
片上网络 NoC
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模拟与混合讯号设计领域仍求才若渴
您可能听过类似这样的说法：“一切都将数字化，甚至讯号处理现在也以数字方式执行。”或者，“现代半导体设计将尽可能地减少模拟成份，因为您无法轻松地将模拟电路移植到更小的制程几何。”而这样的例子不胜枚举。
2021-11-11
模拟 混合讯号
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