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微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究

在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。

2021-08-23

负载效应 DRAM

数字IC的高级封装盘点与梳理

数字 IC 的封装选项（以及相关的流行词和首字母缩略词）继续成倍增加。微处理器、现场可编程门阵列 (FPGA) 和专用定制 IC (ASIC) 等高级数字 IC 以多种封装形式提供。

2021-08-23

数字IC 高级封装

英特尔面向 CPU、GPU 和 IPU发布了重大技术架构的改变和创新

在 2021 年英特尔架构日上，英特尔公司高级副总裁兼加速计算系统和图形事业部总经理 Raja Koduri 携手多位英特尔架构师，全面介绍了两种全新 x86 内核架构的详情；英特尔首个性能混合架构，代号“Alder Lake”，以及智能的英特尔® 硬件线程调度器；专为数据中心设计的下一代英特尔® 至强® 可扩展处理...

2021-08-22

英特尔 CPU GPU IPU

开关电源的LLC 拓扑

近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。

2021-08-22

开关电源 LLC 拓扑

如何理解FIT和MTBF

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。

2021-08-20

FIT MTBF

利用SiC FET降低电磁干扰和开关损耗

器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。

2021-08-20

SiC FET 电磁干扰开关损耗

解惑：耦合在电路中的作用？为什么需要耦合？

耦合是指把能量从一个电路传送另外一个电路中去，耦合在模拟电路和数字电路中非常常见，微弱的信号可以耦合到放大电路进行放大，经过放大的信号同样可以通过耦合进行输出。

2021-08-20

耦合电路模拟电路数字电路

关于2021厦门国际照明展览会新展期定档的通告

在国家政府的正确领导下，各地各级部门面对疫情沉着冷静，应对有道。用科学温暖有效的疫情防控措施，让恣意妄行的疫情偃旗息鼓，再度得到控制，被封控地区、街道纷纷解封并重新降为低风险。

2021-08-17

厦门国际照明展

固定增益双端口G类差分放大器设计

ISL1561是固定增益双端口G类差分放大器设计，与AB类放大器相比，可在降低功耗的情况下驱动ADSL2 +和VDSL2。线路驱动器采用+ 12V至+ 14V单电源供电，并且在检测到升压时会产生较高的电源电压。静态电流可以通过3引脚串行端口接口（SPI）用12位命令进行编程。

2021-08-17

固定增益双端口 G类差分放大器

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