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攻克次谐波振荡：CCM反激斜坡补偿的功率分级指南
在CCM反激式转换器设计中，峰值电流模式控制（Peak Current Mode Control）因其优异的输入电压抑制能力、固有的逐周期限流保护和相对简化的环路补偿而备受青睐。然而，当占空比超过50%时，系统会出现固有的次谐波振荡不稳定性问题。斜坡补偿技术正是攻克这一难题的核心手段，其设计策略需随功率等级...
2025-06-23
CCM反激 斜坡补偿 反激转换器 次谐波振荡 斜坡补偿设计
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高精度低噪声 or 大功率强驱动？仪表放大器与功率放大器选型指南
在现代电子系统的精密舞台上，两类关键“演员”——仪表放大器（In-Amp）与功率放大器（Power Amp）——扮演着截然不同却都不可或缺的角色。它们虽共享“放大”之名，但设计哲学、核心任务与应用疆域存在本质差异。理解这种差异，是工程师为系统挑选“最佳配角”的关键。
2025-06-20
仪表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驱动电路
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μV级精度保卫战：信号链电源噪声抑制架构全解，拒绝LSB丢失！
在精密测量、医疗仪器及工业传感系统中，信号链的μV级精度直接决定系统性能上限。而电源噪声，常以隐形杀手的姿态吞噬ADC/DAC的有效位数——当1mV电源纹波可导致12位ADC丢失4个LSB时，电源架构选型便成为精度保卫战的核心战场。本文从噪声频谱与拓扑本质出发，拆解LDO、开关电源及混合架构的噪声基因...
2025-06-19
电源噪声 ADC精度 PSRR优化 信号链噪声抑制 LDO选型 开关电源滤波
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从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。
2025-06-19
SiC MOSFET并联 高功率设计 分立器件优势 功率扩展 热管理设计 并联可靠性
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双核驱动新质生产力：西部电博会聚焦四川双万亿电子集群
在数字经济浪潮中，西部电博会已成为展现双万亿产业集群实力的核心舞台。作为四川首个突破万亿规模的支柱产业，电子信息产业2024年产值达1.8万亿元，构建起涵盖集成电路、新型显示、智能终端等领域的全链条生态。依托成都、绵阳两大创新极，四川不仅坐拥英特尔、京东方、华为等全球巨头，更在柔性显...
2025-06-18
西部电博会 四川电子信息产业 成都AMOLED产线 京东方 8.6代AMOLED 双万亿产业集群
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双核异构+TSN+NPU三连击！意法新款STM32MP23x重塑工业边缘计算格局
意法半导体宣布旗下STM32MP23x系列微处理器（涵盖STM32MP235/233/231）已正式量产，瞄准成本敏感型工业AI应用场景。作为STM32MP25系列的延伸产品，该系列在保留NPU神经处理单元、Cortex-A35+M33异构架构、Linux/RTOS双系统支持及带时间敏感网络（TSN）的高性能网络接口等核心功能的同时，通过精简16...
2025-06-17
意法半导体 STM32MP23x 意法半导体工业AI芯片 低成本神经处理单元 Cortex-A35+M33异构架构 时间敏感网络TSN 工业边缘计算
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突破物理极限：仪表放大器集成度提升的四大技术路径
在物联网设备渗透率突破75%、便携式医疗电子市场规模年增12%的当下，仪表放大器作为信号调理的核心器件，正面临前所未有的集成化挑战。传统分立式架构已难以满足智能传感器节点对体积（<5mm³）、功耗（<1μA）和成本（<$0.5）的严苛要求。本文将从先进封装工艺、电路架构创新、系统级协同设计三个维...
2025-06-16
仪表放大器集成度 FOWLP封装 系统级芯片 异构集成 AI辅助设计 物联网硬件 芯片立体集成
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仪表放大器的斩波稳定技术原理
斩波稳定技术（Chopper Stabilization）是消除放大器低频噪声与直流误差的核心技术，尤其针对仪表放大器的1/f噪声（粉红噪声）和输入失调电压（Vos），可将其影响降低至μV级甚至nV级。其原理基于信号调制-放大-解调的频域处理方法，结合动态校准机制，突破传统放大器的噪声极限。
2025-06-16
仪表放大器 斩波稳定技术
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优化仪表放大器的设计提升复杂电磁环境中的抗干扰能力
在复杂电磁环境中，仪表放大器的抗干扰能力直接决定了信号采集的精度与可靠性。以下从电路设计、封装工艺到系统优化的全链路技术手段，可全面提升仪表放大器的抗干扰性能。
2025-06-16
仪表放大器 抗干扰设计 CMRR优化 EMI抑制 电磁屏蔽 共模抑制 工业传感器 医疗电子 复杂电磁环境
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