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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容,采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 µF条件下),而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan钽芯片电容
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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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STGxL6NC60D:意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内,应用的整体功率可望提高到一个新的水平,远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽车精密薄膜芯片电阻阵列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽车精密薄膜芯片电阻阵列,该器件已通过AEC-Q200测试,并具有1000V额定电压的ESD稳定性。该器件经优化可满足汽车行业对温度和湿度的新要求,同时可为工业、电信及消费电子提供较高的重复性和稳定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片电阻阵列
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VLRE31/VLRK31系列:Vishay新型高亮度SMD LED
为满足日益增长的对AlInGaP技术的需求,日前,Vishay宣布推出两种新系列的、采用倒立鸥翼式封装的黄色和红色SMD LED,这两种系列的SMD LED具有高发光强度和低功耗的特点。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音频电阻,该电阻采取特殊设计,可增加信号清晰度。当温度范围在 -55°C 至 +125°C 时,该器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR(自身散热产生的 ∆R)、0.01% 的绝对容差且电流噪声小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音频电阻
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NBXxxxx:安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块
安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列,推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块,替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用 振荡器
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NBXxxxx:安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块
安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列,推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块,替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。
2008-05-07
PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用 振荡器
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DS4M-XO系列:Maxim超高频晶体振荡器
Maxim推出DS4M-XO系列晶体振荡器,支持100MHz至300MHz工作频率,并提供频率容限调节功能。DS4M-XO系列产品尺寸小、性能高并且易于使用,可理想用于Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空间受限的场合。
2008-05-05
DS4M-XO 晶体振荡器
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