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• Vishay的SiR662DP功率MOSFET获Top-10 DC/DC电源产品奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。

《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得显著进步、性价比显著提高三个方面，对前一年发布的数百款产品进行评选。Vishay的SiR662DP功率MOSFET凭借在DC/DC应用上的创新和成功示范，荣获该奖项。

《今日电子》Top-10 DC/DC电源产品奖的颁奖仪式在9月8日北京国宾酒店举行的2011电源技术研讨会期间举行。Vishay公司北京办公室的销售经理Alice Wei代表Vishay领取该奖项。

SiR662DP的低导通电阻意味着更低的导通损耗，可降低能耗，尤其是重负载条件下，而低导通电阻与栅极电荷的乘积(优值系数，FOM)能够降低高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度，在更加绿色环保的解决方案中实现更低的功率损耗。