瑞萨电子低通态电阻功率MOSFET µPA2766T1A
 

新产品的30V电压通态电阻为0.72mΩ（典型值），较瑞萨电子之前的产品降低了50%，达到业内最低水平。此外，产品的高效性以及小型表面封装包（8-针HVSON）等功能可使得在更小规格的封装内完成高电流控制，从而降低了功耗、实现了相对大型服务器存储系统所用电源的微型化。

对于任务关键系统，常见的功能是提供冗余功率输出，即：通过带有对服务器存储系统保持高可靠性的多电源装置的ORing FET来完成。这些ORing FET被连接到每个电源装置的功率输出线上。在正常运行过程中，它们能够保持接通状态。但是，如果其中一个电源失效，相应装置的ORing FET将会切换到断开状态，以确保将其与其他电源装置隔离开，并保证失效电源装置不会中断系统电源。

在正常运行过程中，功率输出线路能够处理几十到几百安培的强大电流。ORing FET必须拥有低通态电阻特性以防止增加传导损耗或降低电源电压。

为了满足这种需要，瑞萨电子在本公司新型低通态电阻工艺的基础上，研发了一套（三件）MOSFET产品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能够满足上述需要，能以更小的规格提供行业领先的电源装置内的低通态电阻。

新型低通态电阻功率MOSFET产品的主要特点

(1) 业内最低的通态电阻
 
新型的µPA2766T1A 可为5 mm × 6 mm 封装内的30V应用程序提供0.72 mΩ的业内最低通态电阻，通过降低智能领域关键应用程序——网络服务器和存储系统中所使用的电源装置的传导损耗，提高了系统的总体功率效率。此外，该项功能使我们能够抑制随大电流产生的较大压降。而且，即使在电源装置出现大幅度电流波动的情况下，也能获得高精度电源电压。

(2)带小面积安装和大电流控制支持功能的8针HVSON封装

由于金属板用于将封装内的FET模具连接到引脚上，所以8针HVSON 封装可提供低封装电阻。此项功能，加上FET模具的低通态电阻，使得即使在尺寸为5 mm × 6 mm的紧凑型封装内，也能实现对高达130 A (ID (DC))大电流的控制。此外，在多个ORing FET以并联的形式连接到每个电源装置上以供应较大电流的情况下，产品的这一特征通过实现最少数量的并联连接，还有助于缩小设备尺寸。

这三种新型MOSFET产品，包括 µPA2766T1A，拥有0.72 mΩ至1.05 mΩ（标准值）的通态电阻额定值。这一范围可实现更好的产品选择，从而能够以最佳的状态满足用户在运行电流或环境条件方面的要求。而且，它还使得客户能够提供最佳产品，有助于提高功率效率、降低空间要求。

瑞萨电子计划进一步加强产品线的拓展，继续努力降低通态电阻、开发更小规格的封装，以满足客户不断变化的需求。
 
定价与供货情况

本公司目前可提供新型低通态电阻功率MOSFET产品的样品。样品的价格将会有所变动。µPA2764T1A的样品价格将为1.20美元/单位，µPA2765T1A为1.00美元/单位，µPA2766T1A为1.80美元/单位。我们计划在2013年2月开始新产品的批量生产，预计到2013年10月，三种产品的总体产量将会达到5,000,000个单位/月（定价和供货情况如有变化，恕不另行通知）。

新型低通态电阻功率MOSFET产品的规格