此文章出自该贴：    【每周一问第三期】为什么以下三种方法可以降低电源的辐射干扰？

请听题：
一款电源的辐射干扰超标20db，采用下述方法处理后，完全达标。
（1）在所有的整流二极管的一端串联一小磁珠；
（2）在开关管的控制极串联一电阻，并在控制极并一50p的电容到地；
（3）在所有的整流二极管两端并联一个470p电容。
问答：
1、为什么在所有的整流二极管的一端串联一小磁珠可以降低辐射干扰？
2、为什么在开关管的控制极串联一电阻，并在控制极并一50p的电容到地，可以降低辐射干扰？
3、为什么在所有的整流二极管两端并联一个470p电容，可以降低辐射干扰？

让我们来看看大家是怎么回答的吧！首先给大家看看mic29的答案：

1、为什么在所有的整流二极管的一端串联一小磁珠可以降低辐射干扰？
我认为串磁珠无法降低di/dt，但可以吸收高频谐波的辐射能量，因而降低EMI，这个与串可饱和电感来直接降低di/dt属于不同的抑制原理，可饱和电感是直接抑制二极管TRR的对策，也就是直接抑制di/dt，但成本相较于磁珠则相当高，应该在百倍以上。

2、为什么在开关管的控制极串联一电阻，并在控制极并一50p的电容到地，可以降低辐射干扰？
从两个方面解释：第一是将之视为RC滤波，可抑制IC送给MOS的控制信号中的高频谐波电流，让高频谐波电流以更短路径、更小回路面积回到IC。
其次，加电阻后路径阻抗变大，依t=RC来看，miller电容充放电的时间都变长，也就是MOS on/off时产生的di/dt与dv/dt都下降，EMI也就变好了。

3、为什么在所有的整流二极管两端并联一个470p电容，可以降低辐射干扰？
以直观来看，C8可减缓D6的端电压变化，也就是降低dv/dt，也就降低二极管N极经杂散电容产生的共模电流（i=C*dv/dt），EMI自然变好。

再来看看化二为一是怎么回答的：
1、为什么在整流二极管的一端串联一小磁珠可以降低辐射干扰？
应该是次级整流二极管的一端串联小磁珠，本人尚未在初级整流电路中有人串联磁环（主要指AC220V/DC电源模块）
A）次级整流二极管串联磁珠：小磁珠可以吸收次级整流二极管产生的高频的di/dt干扰，同时增加整流二极管侧电容的滤波效果（由于滤波电容存在等效串联电容ESL削弱了电容本身的旁路或高频滤波作用，会在开关电源输出端出现频率高的尖峰干扰）。
B）初级整流二极管串联磁珠：开关电源工作时，开关管高频通断，经由变频变压压器的初级线圈、开关管和输入滤波电容形成了一个高频电流环路。这个环路的存在，就可能对空间形成电磁辐射。辐射的骚扰强度与IAf*F的乘积成正比，其中，I是高频电流环路的电流强度；A是环路包围的面积；f是电流频率。在初级串联磁珠，主要是衰减或吸收开关管高频的谐波。

2、为什么在开关管的控制极串联一电阻，并在控制极并一50p的电容到地，可以降低辐射干扰？ 
开关管的开/关过程（开关频率调制一般在100KHZ左右），将产生很大的di/dt、du/dt，在控制极并联“电容+电阻”，能够降低其开关管的上升/下降沿，即减小开关管的高频谐波（该谐波很容易引起EMI问题），并减小尖峰电压的幅度。

3、为什么在所有的整流二极管两端并联一个470p电容，可以降低辐射干扰？
应该是在次级整流二极管两端并联“470pf电容+电阻”，主要原因是——整流二极管在关断时，存在反向恢复电流，容易与电路的寄生电感等形成高频振荡，串联了小磁珠，就是衰减或吸收这种干扰。次级整流回路中的二极管在正向导通时PN结被充电；在加反向电压时（截止），积累的电荷将被抛散，并因此产生反向电流，这个过程非常短暂。所在在分布电感（如变压器的漏感等）和分布电容（如二极管的结电容等）存在的回路里，实际上构成了一个高频的谐振电路，当二极管截止瞬间的电流变化非常剧烈时，在整个次级整流回路中会产生高频衰减振荡，形成对外界的差模辐射。

除了以上两位答题比较详细以外，以下网友也给大家做了合理的解释，也可供大家参考一下。

terrysun的答案：
1.串联磁珠，吸收高频信号，避免高频信号返回到电力线；
2.降低开关管开关速度，减少高频振荡，但开关管可能会发热比以前大；
3.避免二极管反向回复引起的辐射；

dwdsp的答案：
1、小磁珠可以缓冲尖峰波
2、一般控制极电流较小而敏感，串联电阻并电容到地可以组成简单的阻容滤波电路的。
3、整流二极管开关的过程会产生瞬变，导致电压电流突变，并电容可以吸收多余的电荷。

那么你呢？对以上问题你还有其他的答案，或者是你赞成以上网友的一些看法吗，如果你能够在该贴中作答，跟这些网友分享交流，相信你会对此记忆更深刻，进步更快，你说对吗？

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