【导读】相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，L_S中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的C_OSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。

另一方面，当超前臂的MOSFET的C_OSS充放电时，能量通过变压器被输送到二次侧。参考前面的思路，通过能量收支来考虑ZVS的成立条件时，以Mode（2）为例，假设相移全桥电路的变压器的匝比为n，则超前臂的ZVS成立条件可用下面的公式来表示。I_L2是Mode（1）结束时的I_L，E_{OSS_Q1}和E_{OSS_Q2}分别是完成Q1和Q2的C_OSS充放电所需的能量。

在实际的电路工作中，需要设置Dead Time来防止上下臂短路。如上所述，在轻负载时，滞后臂MOSFET的充放电可能尚未完成，即可能会有漏极电压V_DS残留（成为硬开关），因此，在某些Dead Time的设置，可能会导致滞后臂MOSFET的导通损耗增加。因此，在设置Dead Time时需要注意这一点。

下图是在Dead Time优化和未优化情况下导通时的示意图。

在Dead Time未优化的情况下，会瞬间流过很大的漏极电流ID。这是由于受到了两种电流的影响：第一种是栅极-漏极间电容C_GD和栅极-源极间电容C_GS的电容比，导致栅极-源极间电压V_GS超过了阈值电压，从而引起的直通电流；另一种是对应桥臂MOSFET的C_OSS的充电电流。其中，后者C_OSS的充电电流在硬开关工作时一定会产生，但前者的直通电流则可以通过设置MOSFET的C_GD和C_GS的适当电容比来防止。因此，选择C_GD和C_GS的电容比适当的MOSFET很重要。

关键要点

●     轻负载时，电流小，L_S中积蓄的能量少，因此很有可能在C_OSS的充放电完成之前就开始开关工作，致使ZVS工作无法执行，容易发生MOSFET的导通损耗。

●     C_OSS的充放电未完成可能会导致V_DS残留，因此需要设置适当的Dead Time来防止上下桥臂短路引起的直通电流。

●     MOSFET的C_GD和C_GS的某些电容比可能会导致流过直通电流，因此选择该电容比适当的MOSFET很重要。

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