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电源效率的新突破：LLC 输出的同步整流
随着“整个负载范围内都保持超高的效率”这一要求成为产品规格的一部分，设计工程师在评审 AC/DC 电源拓扑时都将减少能耗作为具体的目标。 图 1显示了一个能提供一流效率的拓扑示例。 本文由 Future Electronics(EMEA) 公司的技术项目经理John Stephens 编著，应广大 IC制造商的要求介绍了如何处理此...
2012-06-20
电源 LLC 输出 同步整流
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飞兆半导体开发FPS™绿色模式功率开关器件
开关电源(Switch mode power supply, SMPS)设计人员需要节省空间的高成本效益电源解决方案，具有高能量效率，优化的系统性能和更高的可靠性。为了帮助应对这些设计复杂性挑战，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FSL206MRx集成式脉宽调制器(PWM)控制器。
2012-06-19
飞兆 FSL206MRx SMPS
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TDK-EPC新款1608积层功率电感器适用于便携设备电源回路
TDK-EPC开发了积层功率电感器MLP1608-V系列，该产品采用低损耗铁氧体为磁性材料，外形为1608，与2012系列相比，体积减少约50%，主要应用于智能电话、手机、数码相机等移动设备的电源回路。
2012-06-19
功率电感 MLP1608-V 电源回路 TDK-EPC
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技术观点：解密准共振 DC/DC 转换器设计
与返驰式 DC/DC 转换器拓扑相比，准共振设计不仅能提供高能效，而且生成的电磁干扰 (EMI) 也较低，使得它特别适合噪音敏感的应用，例如电视机或音频设备。然而，实施工作变得更加庞大，令工程师感到恐惧，这往往使工程师推迟探索上述这些好处。在这篇文章中，Future Electronics（波兰）的技术经理 ...
2012-06-19
准共振 DC/DC 转换器
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET一体化封装 可替代Si-IGBT
罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，与Si-IGBT相比，工作损耗降低了70％，达到50kHz以上的开关频率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 罗姆 逆变器
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NXP微型LDO调节器可节省PCB空间和电池能量
NXP Semiconductor LD6806 系列低压差 (LDO) 调节器采用小巧的封装（0.76 毫米 x 0.76 毫米 x 0.47 毫米），专门面对具有极端空间约束且需要高电池寿命的应用场合。
2012-06-18
NXP LDO调节器
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预计2012年中国MCU市场增长乏力
据IHS iSuppli公司的中国研究服务，全球宏观经济担忧与中国政府支出减少，正在给2012年中国微控制器(MCU)市场造成一些麻烦，预计今年营业收入将持平于2011年的水平。
2012-06-15
MCU MCU市场 微控制器
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IR新型25V DirectFET芯片组，大幅提升DC-DC开关效率
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出 IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组，为 12V输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
2012-06-14
IR DC-DC 开关
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博世：推进电动动力传动系统模块化，以规模降成本
德国博世公司2012年6月11日在日本东京面向新闻媒体举行了技术演讲会，公布了电动动力传动系统相关战略。汽油系统事业部董事、负责电动化系统的斯蒂芬•卡普曼（Stephan Kampmann）言道：“将通过马达、逆变器及充电电池等的模块化降低成本，以此增加向汽车厂商的供货。”
2012-06-14
博世 动力传动系统 汽车电子 电动汽车
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