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电源管理

电装推出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

由电装与丰田汽车及丰田中央研究所的共同研发，采用SiC功率元件制成的逆变器，其输出功率密度高达60kW/L。该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC，同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化，从而降低了电力损耗。

2012-06-26

SiC逆变器电装

为独立设备提供更高的安全性和更长的电池使用寿命

电池供电设备的范围已从用于工匠的强大手工工具扩展到用于房屋监督甚至医疗救助服务的传感器。此类设备的安全性面临着巨大的挑战。为确保安全操作这些独立设备，SCHURTER 提供了两款具有低功耗且高容限的跳闸时间的 SMD 保险丝。

2012-06-25

独立设备安全性电池

罗姆新款用于DC/DC转换器的功率MOSFET实现FOM降低50%

罗姆面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。FOM与传统产品相比降低了50％，实现更高的转换效率和高频下更低的电力损耗，并采用小型封装，有助于更加节省空间。

2012-06-22

DC/DC转换器功率MOSFET FOM 罗姆

飞思卡尔推出新的28纳米 QorIQ AMP 系列处理器

为了帮助先进的网络设备制造商满足日益严格的能源、安全和处理要求，飞思卡尔半导体公司（NYSE：FSL）推出两款新的QorIQ AMP系列处理器，旨在提供一个理想的性能、功耗和集成组合。

2012-06-21

飞思卡尔 QorIQ AMP

IR推出采用TO-220 fullpak封装车用功率MOSFET

IR推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。在N和P通道配置中，该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用，提供的最大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩ。

2012-06-21

MOSFET 无刷直流电机平面技术 IR

英飞凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件开关损耗大幅降低

英飞凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，与IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。

2012-06-21

CoolSiC SiC 碳化硅直驱太阳能逆变器英飞凌

怎样正确合理地选用DC/DC模块电源

怎样正确合理地选用DC/DC模块电源呢，笔者将从DC/DC模块电源开发设计的角度，结合近年来鼎立信公司模块电源推广使用过程中得到的用户信息反馈，谈一谈这方面的问题，以供广大系统设计人员参考。

2012-06-21

DC/DC 模块电源

如何查找适用于您应用的降压转换器类型

降压电源转换器自 20 世纪 60 年代开始应用于电子元件，自那以后，人们开发出了众多基于降压电源转换原理的型号。特别是 IC 制造商开发了许多不同类型的控制电路，可以满足各种不同的静态和动态响应要求。此高密谋意味着，对于需要指定电源 IC 但又非电源专家的设计工程师来说，这是件令人头痛的事...

2012-06-21

降压转换器

罗姆推出耐压30V功率MOSFET，产品阵容扩充达16种

近年来，随着服务器和笔记本电脑等的高性能化发展，CPU等的功耗不断增加，工作电压越发低电压化，设备的电源电路的温升和电池驱动时间减少已成为很大问题。在这种情况下，在同期整流方式降压型DC/DC转换器等各种电源电路中内置功率MOSFET，使之承担与提高电源的电力转换效率直接相关的重要作用。为...

2012-06-20

罗姆 MOSFET DC/DC

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