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电源管理

西门子推出新型平板电源SITOP Direct Mount

西门子工业自动化集团日前推出的PSU100D电源，进一步丰富了Sitop电源家族系列产品线。新产品为高性价比平板单相电源，产品使用螺钉安装，无需导轨。坚固的铝合金外壳具有IP20防护等级，所需安装空间极小，可灵活安装在不同位置。该款产品能够满足客户对电源的所有基本要求，尤其适合安装在机器设备...

2011-10-12

西门子平板电源 SITOP Direct Mount

TCD0806B-350-2P:TDK-EPC薄膜共模滤波器新增抑制差模噪声功能

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC开发出业内首创的可同时实现抑制高速差分传输过程中产生的共模噪声及GSM频段的差模噪声功能的薄膜共模滤波器（TCD0806B-350-2P），并从2011年9月开始量产。

2011-10-12

射频滤波器热量放大器

Vishay的SiR662DP功率MOSFET获《今日电子》Top10 DC/DC电源产品奖

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。

2011-10-11

SiR662DP Vishay 功率MOSFET 电源产品

开关电源的干扰分析及其抑制措施

开关电源本身产生的干扰直接危害着电子设备的正常工作抑制开关电源本身的电磁噪声．是开发和设计开关电源的一个重要课题。简要地对开关电源电磁干扰产生、传播的机理进行了介绍，总结了几种主要的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的方法。

2011-10-11

开关电源干扰抑制

三相IGBT全桥隔离驱动电源设计

本文针对10 kW三相IGBT全桥变换器设计了一种隔离驱动电源，提供4路相互隔离的输出，每路输出均提供+15 V／-9 V电源。电源功率较小，考虑成本和效率，采用单端反激式结构。

2011-10-11

IGBT 全桥隔离驱动电源隔离驱动电源变换器

高压功率VDMOSFET的设计与研制

随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O．85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿...

2011-10-11

VDMOSFET 高压功率MOS管 MOSFET

适用于各种类型硬开关功率转换器的电能回收电路

本文论述一个新颖的简单的适用于各种类型硬开关功率转换器的电能回收电路，这个电路只需使用几个元器件：一个微型线圈、两个耦合辅助线圈和两个优化的PN二极管。而且，这个电路完全兼容任何一种PWM控制器。

2011-10-11

功率因数校正 BC² 能量回收

2015年平板贡献半导体达200亿美元

国际研调机构Gartner(顾能)近日举办半导体全球巡回论坛。半导体产业首席分析师李辅邦表示，平板电脑未来5年的平均年复合成长率达77%，并估计到2015年，平板电脑贡献半导体业的营收将达200亿美元。另外，他指出，ARM是智慧型手机和平板电脑崛起的最大赢家，估计未来5年仍能守稳80%市占率。

2011-10-11

ARM 平板平板电脑半导体业

高性能氮化镓晶体管研制成功

据悉，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，以获得更小更快、能耗更低的电子设备。

2011-10-11

氮化镓晶体管晶体管电子元件

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