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韩国成功研发高性能燃料电池用新材料
据韩国原子力研究院（KAERI）和韩国能源技术研究院（KIER）5月25日联合报道，经双方共同研究，成功开发出可提高燃料电池能效的新材料。
2011-06-20
韩国原子力研究院 韩国能源技术研究院 高性能燃料电池
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锂电池替代铅酸蓄电池机遇浮现
正当铅酸蓄电池行业在经历着一场前所未有的大整顿之时，被看作“未来能源”的锂电池板块却浮现出新机遇。
2011-06-20
锂电池 铅酸蓄电池 电池
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RACD03/06系列：RECOM推出新型LED恒流驱动器以减小功率消耗
随着LED技术的不断发展， 单芯LED的流明数不断的增加。从而使LED驱动器的功率不断的减小。以前生产的驱动器的功率一般为12W、20W、30W及60W，而目前市场对3W至6W驱动器的需求却有明显的增长趋势。RECOM新型驱动器（3W至6W）的输入电压范围是90至264AC，可广泛适用于世界各地。
2011-06-17
LED RECOM 驱动 RACD
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Vishay推出新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出12个具有三种功率封装的45V器件，这些器件具有10A～60A的宽电流等级，扩充了其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
2011-06-17
Vishay 整流器 太阳能电池
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热敏电阻型浪涌抑制器在电源设计中的应用及其选型
本文首先分析电子产品为什么会有开机浪涌，然后以典型的电源电路为例分析如何使用热敏电阻抑制浪涌电流，最后介绍热敏电阻在实际应用中应如何选型
2011-06-17
热敏电阻 浪涌抑制器 电源
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如何选用适当的DC/DC电源模块
系统运行中电源对系统稳定性的影响极大，质量稳定性不佳的电源模块，不但会造成系统运作不稳定，严重将会造成组件损坏，选择适用良好的电源模块，将是一个非常重要的课题。
2011-06-16
DC/DC 电源模块 参数
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PQFN2x2系列:IR推出新款超小型功率MOSFET用于便携设备
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型...
2011-06-16
PQFN2x2系列 IR 功率MOSFET MOSFET
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ST推出抗辐射功率MOSFET产品用于航天电子系统
随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST） 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。
2011-06-16
MOSFET ST 意法半导体 航天电子
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博世将于2013年以后在欧州设立锂离子电池工厂
德国博世2011年6月9日向新闻媒体介绍了今后的开发战略。该公司与韩国三星SDI的合资公司SB LiMotive计划2013年以后在欧洲设立锂离子充电电池单元的生产工厂。博世同时还宣布，计划使韩国蔚山SB LiMotive工厂的锂离子充电电池单元的产量在2015年之前年均增长4GWh。
2011-06-16
博世 锂离子电池 三星
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