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关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响
本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短期俘获和释放引起的。因此，关断时的栅极电压欠冲会对碳化硅（SiC）MOSFET的开关特性产生影响。
2022-09-20
栅极电压欠冲 SiC MOSFET 导通
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打破电动汽车“里程焦虑”，主驱能效如何升级？
因续航能力有限而导致的“里程焦虑”是许多消费者采用电动车的一个障碍。增加电池密度和提高能量转换过程的效率是延长车辆续航能力以缓解这种焦虑的关键。能效至关重要的一个关键领域是主驱逆变器，它将直流电池电压转换为所需的交流驱动，以为电机供电。
2022-09-19
电动汽车 主驱能效
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TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封装 MOSFET 源极管脚
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了解为高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的挑战
了解为当今高分辨率、高帧率CMOS图像传感器设计供电方案的关键挑战，是设计一个满足每位设计工程师要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的优化的电源系统方案的关键要素。电源系统设计人员需要知道不同应用中的电源方案有何不同，比方说，一个800万像素（MP）的相机与一个5000万像素的相机的电源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 图像传感器 供电方案
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安森美获蔚来“守望奖”
中国上海—2022年9月13日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在蔚来于2022年7月30日举行的合作伙伴大会上获其授予“守望奖”。作为蔚来体系中值得信赖的关键技术供应商，安森美通过多种渠道确保对蔚来的供货支持，包括专职负责顺利生产和交付流程的小组。
2022-09-14
安森美 蔚来 SiC模块
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列
变频器是各行业中至关重要的节能设备，ABB传动一直致力于用先进的产品和技术，创新的解决方案为客户创造价值，提高生产效能水平，助力变频器产业升级。
2022-09-14
ABB IGBT7 变频器
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电源应用问题之应用环境分析
本文简述开关电源常见的应用环境，分析各种典型环境因素对电源产品的主要影响机理，推荐与应用环境相匹配的金升阳电源产品，提升电源在不同应用环境中的可靠性。
2022-09-14
开关电源 应用环境 金升阳
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开启大功率无线充电新时代
无线充电技术包括感应、磁谐振、电容、射频辐射、激光、声波和其他新兴技术。感应耦合技术处于领先地位 [1]，因此，其相关标准 Qi 在无线充电领域应用最为广泛。
2022-09-14
无线充电 WLC1115 发射器
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碳化硅MOS 四引脚封装在应用中的优势
瑞森半导体科技有限公司经过多年研发，推出碳化硅MOS和SBD系列产品，目前已得到市场和客户认可，广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封装
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