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电源管理

BM6103FV-C:罗姆推出业内最小车载用内置绝缘元件的栅极驱动器

日本知名半导体制造商罗姆株式会社（总部位于日本京都市）开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。

2012-05-22

罗姆 BM6103FV-C 栅极驱动器

Green Star Green World 中电华星<br/> — 致力于为新能源客户提供最具竞争力的测试系统解决方案

Green Star Green World 中电华星
— 致力于为新能源客户提供最具竞争力的测试系统解决方案

长期以来，中电华星一直致力于为电源客户提供最具竞争力的测试系统解决方案。在与电力电子及相关行业长期合作中，针对新能源行业深入调查和研究，现将各类新能源产品测试方案提供给大家，给力新能源产业，共建绿地球。

2012-05-22

中电华星新能源测试系统

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT开关和导通损耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

2012-05-21

IGBT Power MOS 8 Microsemi

不用稀土，日立开发出效率达93%的工业马达

日立制作所和日立产机系统开发出了效率提高到了约93％的永久磁铁式同步马达，其中未使用含钕（Nd）及镝（Dy）等稀土元素的钕（Nd-Fe-B）磁铁。该马达的输出功率为11kW。日立制作所日立研究所马达系统研究部MS3部门负责人榎本裕治表示：“可用来配备在（鼓风机及流体泵等）需求较大的工业设备上。”

2012-05-21

日立工业马达稀土

IDT新型4M系列振荡器可替代传统六管脚晶体振荡器

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的CrystalFree压电MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振荡器。IDT的新型振荡器可在紧凑业界标准封装中以远低于1皮秒的相位抖...

2012-05-18

IDT 4M系列振荡器

惨跌之后：电源管理半导体Q2开始复苏

据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。第二季度电源管理半导体营业收入将达到80亿美元，比第一季度的75亿美元增长6.7%。

2012-05-18

电源管理半导体

NXP高效能低VF肖特基整流器锁定行动装置

恩智浦(NXP)推出采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑胶封装DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器。该款20伏特(V)、0.5安培(A)PMEG2005BELD萧特基势垒整流器，是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5安培正向电流下的最大正向电压为390毫伏特(mV)，可显著提升电池寿命和性能。

2012-05-16

NXP 肖特基整流器

面向新一代高带宽无线接收器的ADC大幅提升能效和速度

日前举办的国际固态电路研讨会（ISSCC2012）上，imec和瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）推出了创新型SAR-ADC（逐次比较性模数转换器），大幅提升了能效和速度，面向符合新一代高带宽标准要求的无线接收器，例如LTE-advanced和新兴的Wi-Fi（IEEE802.11ac）。

2012-05-16

高带宽无线接收器 ADC

飞兆最新MOSFET采用微间距WL-CSP封装占版面积仅0.64mm2

飞兆半导体开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET器件。这些器件采用最新的“微间距”薄型WL-CSP封装工艺，最大限度地减小线路板空间和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封装中实现出色的散热特性，可帮助便携设备开发人员应对空间和散热的挑战。

2012-05-15

WL-CSP PowerTrench MOSFET FDZ661PZ FDZ663P

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