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比传统元件尺寸小数千倍的光漩涡器件芯片问世
由英国、中国等四所大学研究团队联合课题组新发明的光漩涡器件芯片只有几微米大,比传统的元件尺寸小数千倍,并且能够大规模、低成本制作,将被广泛应用于通信、传感和微粒操控等领域。
2012-10-25
光漩涡器件 发射器件 光束
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HiFi功率放大器设计BOM
这个简单的低成功率放大器。可以5种方法完成,就像图表中所指示的(从20W到80W RMS )。首先要作的是测试末极功率管的放大系数hfe or β.如果差异大于30%,放大器将不会提供一个清晰的声音,使用MJ3001和 MJ2501晶体管,他们的差异在5%。
2012-10-24
HiFi 功率放大器 BOM
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封装面积减小4成,支持LTE的RF模块
村田制作所开发出用于LTE智能手机的小型RF收发模块,封装面积减小4成,其采用该公司的元件内置技术,使用树脂基板而非陶瓷基板实现了模块,该模块集成了LTE收发信息所需要的RF收发器IC、功率放大器及前端模块等,RF电路部分的定位是“全模块”。
2012-10-24
LTE RF模块 村田
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可支持15种频带的FBAR滤波器
安华高此前的FBAR滤波器支持5种频带,但世界各地的LTE服务使用了多种频带,因此此次扩大了支持的频带数量。此次增加了对700MHz频带、900MHz频带及2.6GHz频带等15种频带的支持。安华高表示,这一举措使该公司的FBAR滤波器得到了大量智能手机的采用。
2012-10-24
FBAR 滤波器 安华高
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从直流到18 GHz氮化镓产品选择
全球市场对氮化镓技术的需求还在不断增长,TriQuint与Richardson RFPD合作提供的TriQuint 氮化镓产品包括放大器、晶体管和开关,可提高射频效率、降低总成本和增强系统坚固性。提供世界级、从直流到18 GHz的氮化镓产品创新,包括分立晶体管、MMIC及封装式解决方案。
2012-10-24
氮化镓 放大器 晶体管
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完美结合耐用性、频率范围与宽带能力射频功率晶体管
为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求,飞思卡尔半导体公司推出了两款功能丰富的器件,旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。
2012-10-23
射频 飞思卡尔 晶体管
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可支持300MHz到2.8GHz的频段的LTE收发器
随著无线宽频的需求日渐扩大,全球电信服务业者也加速将第四代的LTE高速无线通讯标准导入手机与数据卡终端设备。Aviacomm发表最新LTE智能型射频收发器,可支持300MHz到2.8GHz的频段,不仅在功能上取代多芯片的集成方案,在系统设计上,也简化工程开发时间。
2012-10-23
LTE 收发器 无线宽频
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集成5GHz JESD204B串行接口的8通道超声接收器
ADI的AD9671 8通道超声接收器集成5Gb数据转换接口,支持更高的数据速率和通道数,可用于手推式和便携式超声设备。通过集成该5Gb JESD204B接口,ADI的全新AD9671 8通道接收器与其它数据接口标准相比,可减少多达80%的超声系统I/O数据路由。
2012-10-18
便携医疗 接收器
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用于二次监视雷达航空应用的RF晶体管
航天、军工的产品级别总是高于一般商用,高可靠性和对温度的高要求,并不是每个商用级别的厂商可以轻易达到的。Microsemi发布用于二次监视雷达航空应用的RF晶体管,可以提供700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 漏极效率,以期降低总体漏极电流和热耗散。
2012-09-12
RF 雷达 航天 军事
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