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降本增效新路径：海翔科技赋能二手Prevos与Selis刻蚀设备的高品质复用
在半导体制造向3D NAND超高层堆叠与先进逻辑GAA架构演进的关键阶段，高深宽比通道刻蚀与纳米级高选择性蚀刻已成为突破存储密度极限与构建复杂3D结构的核心工艺瓶颈。泛林半导体（Lam Research）旗下的Prevos与Selis系列刻蚀设备，分别凭借Cryo 3.0低温蚀刻技术与自由基/热蚀刻双重能力，以原子级精度和卓越的轮廓稳定性，成为支撑400层以上3D NAND及先进制程芯片量产的基石。然而，随着产业对成本控制需求的日益迫切，二手高端设备的合规流通与复用已成为行业降本增效的重要路径。面对这一趋势，海翔科技依托深厚的运维积淀，严格对标SEMI行业规范及《进口旧机电产品检验监督管理办法》，构建了涵盖拆机评估、整机检测到现场验机的全流程质量管控体系。本文旨在系统阐述该体系针对Prevos与Selis系列设备的技术实施规范，深入解析如何通过标准化的拆解标记、精密的部件损耗分析及多维度的性能验证，确保二手核心装备在复用过程中依然具备原厂级的工艺稳定性与安全合规性，为半导体产线的持续升级提供坚实的技术保障。
2026-02-28
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一颗NOR，撑起AI耳机、ADAS与HBM4服务器的底层信任
在半导体存储领域，NOR Flash虽不如DRAM或NAND Flash广为人知，却凭借其“芯片内执行”（XIP）、高可靠性、快速启动和长数据保留等独特优势，在物联网、汽车电子、AI终端及AI服务器等关键场景中扮演着不可替代的角色。从上世纪80年代诞生至今，NOR Flash已从功能机固件存储走向智能时代的高性能刚需元件。尤其在AI与自动驾驶浪潮推动下，其市场需求激增、价格上扬，并催生本土MCU企业加速布局“MCU+存储”生态。与此同时，3D NOR Flash技术的突破更将存储密度与性能推向新高度，为行业打开全新成长空间。
2026-02-12
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从IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技术的创新与突破
ONFI作为闪存控制器与NAND颗粒的关键接口协议，其技术水平直接决定存储系统竞争力。奎芯科技深耕ONFI IP领域，以领先技术规格、全场景工艺覆盖及Chiplet架构战略布局构建核心优势，下文将围绕其价值、技术亮点、生态能力及战略规划，展现奎芯在高速存储接口领域的硬核实力，为多领域应用提供核心支撑。
2026-01-27
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硬核实力赋能存储升级——奎芯科技ONFI IP技术解析
身处AI与高性能计算的浪潮中，数据存储吞吐量面临明显瓶颈，而ONFI（Open NAND Flash Interface）作为连接闪存控制器与NAND颗粒的关键高速接口协议，其IP方案正是保障大规模数据高效存取、撑起SSD及各类先进存储系统的核心技术基石。奎芯科技深耕ONFI IP领域，凭借行业领先的技术规格、全工艺节点覆盖能力及Chiplet架构下的战略布局，构建起差异化竞争优势，为存算一体、企业级SSD等多领域应用提供高性能、高可靠的定制化存储接口解决方案。
2026-01-19
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NAND Flash位翻转是什么？一文读懂其原理与应对
设备运行中的“间歇性故障”往往令人困惑——开机异常、程序紊乱，可重新烧录固件后一切又恢复正常。当这样的问题与NAND Flash存储介质相遇时，“位翻转”这一易被忽视的技术现象，很可能就是幕后根源。本文将从NAND Flash的工作原理切入，清晰阐释位翻转的本质、诱发因素，进而聚焦ECC校验这一核心解决方案，并结合ZLG致远电子M3352核心版的实践案例，带您了解如何应对此类存储相关故障。
2025-12-16
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三星发布NAND闪存重大突破：新结构功耗直降96%，重塑AI数据中心未来
近日，三星电子宣布在存储技术领域实现重大突破，其研发团队成功开发出一种新型NAND闪存结构，可将功耗降低超过90%。这一成果有望彻底改变人工智能数据中心、移动设备及其他依赖存储芯片的终端产品的未来发展路径。
2025-11-28
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NAND价格飙升冲击下游，手机厂商被迫“降容”应对
近期，全球闪存市场迎来新一轮价格调整，闪迪（SanDisk）作为行业巨头率先行动，在11月宣布大幅上调NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。这一举措远超市场预期，成为今年以来的第三次涨价。此前，闪迪已在4月和9月分别执行了10%的普涨政策。与此同时，美光、三星等存储大厂也纷纷跟进，进一步加剧了市场的波动。
2025-11-11
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铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度
两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术，它与公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术1相结合，采用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA（独立命令地址）协议2（一种全新的接口命令地址输入方式），同时还整合了PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术3（在进一步降低功耗方面发挥了关键作用）。
2025-02-24
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漫谈QLC其三：QLC NAND的主流应用
前文所述，老四QLC在争议中成长，已进入当打之年，凭借性能、寿命、容量和价格极致性价比的特性，配合主控和固件纠错能力和算法方案的日渐成熟，进入到消费级SSD和企业级SSD主战场，如今市面上有多款已量产的消费级和企业级QLC SSD，进入商用。
2023-12-11
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漫谈QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然为SSD/嵌入式存储中的主力NAND颗粒，但QLC开始登上舞台，发起挑战，和2016年那时的自己相比，QLC实力大增。NAND家族，从老大SLC开始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，发挥自身优势，克服自身不足，一代代传承下来，扛起家族事业的重任。
2023-11-30
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漫谈QLC其一：QLC定义及应用
目前，闪存增容的主要方式有两种，其一是结构上，由2D NAND到3D NAND，从平面到立体，实现闪存容量的提升，并随着堆叠层数的增加优化成本，继而适应市场需求；其二是逻辑上，提升存储单元存储的位数，即由仅能存储1位数据的SLC，到存储2位数据的MLC，直到如今能存储4位数据的QLC，通过这种方式，提升闪存存储容量优化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工业数据存储问题
随着对新特性和功能需求的增加，大容量存储在嵌入式工业应用中的使用持续增长。虽然更复杂的GUI和应用已经通过增加NAND芯片容量而成为可能;更快的接口和各种托管NAND解决方案的可用性;寻找能够应对极端环境需求的足够固态存储解决方案的挑战仍然存在。幸运的是，NAND存储介质和控制器设计的发展意味着现在有更可靠和更具成本效益的选择。
2022-10-31
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