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基于CoolSiC的高速高性能燃料电池空压机设计
燃料电池用空压机开关频率高，空间有限，集成度高，采用单管设计的主要挑战是如何提高散热效率。本设计中功率器件和散热器采用DBC+焊接工艺，提高了SiC MOSFET的输出电流能力，从而有效降低了系统成本的，并且简化安装方式。
2022-03-03
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英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效
户用光伏每年装机都在高速增长，单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW，系统电路示意框图如图1所示，从光伏电池板经过逆变器中DC/DC，DC/AC电路实现绿电的能量转换，英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。
2022-03-01
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派恩杰SiC驱动设计新探索：如何避免误开通？
随着SiC 工艺逐渐成熟和成本不断下降，SiC MOSFET凭借整体性能优于硅基器件一个数量级的优势正逐渐普及，获得越来越多的工程应用。相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化，因此广泛适用于5G数据中心通信电源，新能源汽车车载充电机，电机驱动器，工业电源，直流充电桩，光伏，UPS等各类能源变换系统中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用过程中的常见问题集（上）
由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。当前碳化硅功率器件主要在新能源汽车的车载充电机、充电桩、计算机电源、风电逆变器、光伏逆变器、大型服务器电源、空调变频器等领域，根据Yole估计，未来市场将有每年30% 左右的高速增长。为此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各种电压等级SiC MOSFET以应对市场需求。在从硅器件到碳化硅器件使用转变过程中，客户常常会遇到一些疑问或者使用问题，为此，派恩杰针对客户的问题进行归纳总结并分享一些解决办法。
2022-02-09
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基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。
2022-02-08
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在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量
在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。随着新能源汽车、智能家电、5G、轨道交通等行业的兴起，MOSFET和IGBT也迎来了发展的春天。
2022-01-26
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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉冲呢？功率器件也没那么脆弱啊对不对？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到全球政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需求激増，导致产能紧缺。绿色低碳技术创新应用是实现碳中和目标的重要一环，碳化硅是应用于绿色低碳领域的共用性技术，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为了许多厂商的新选择。不过，SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET到底有什么区别，替代时电路设计如何调整，是工程师非常关心的。我们《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？》一文中已经分享了负压自举的小技巧。本文SiC MOSFET驱动常规自举电路的注意事项。
2022-01-17
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如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路
功率因素校正为将电源的输入电流塑形为正弦波并与电源电压同步，最大化地从电源汲取实际功率。 在完美的 PFC 电路中，输入电压与电流之间为纯电阻关系，无任何输入电流谐波。 目前，升压拓扑是 PFC 最常见的拓扑。在效率和功率密度的表现上，必须要走向无桥型，才能进一步减少器件使用，减少功率器件数量与导通路径上的损耗。 在其中，图腾柱功率因素校正电路（totem-pole PFC）已证明为成功的拓扑结构，其控制法亦趋于成熟。
2021-11-25
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分析无芯变压器栅极驱动器
功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间，ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器，以实现稳健的隔离，这对SiC技术尤其有用。碳化硅已被引入工业和汽车市场的广泛应用中，包括太阳能逆变器，所有类型的高压电源和汽车车载电池充电器。
2021-11-15
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
功率器件作为半导体产业的重要组成部分，拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如，传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展，占据了绝对领先的市场份额。不过，随着新能源汽车、数据中心、储能、手机快充等应用的兴起，拥有更高耐压等级、更高开关频率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半导体功率器件逐渐崭露头角，获得了业界的持续关注。
2021-11-10
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