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分析自动化第三季度市场数据，看IC与方案需求
今年第三季度，电池和光伏制造业订单增长最好，印刷、制药、暖通空调、食品机械和电梯持平，其它行业都有降低。相关应用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和电源管理IC需求受终端设备制造商影响有变化，PLC和工控机用HMI方案和网关也有市场需求起伏。其中伺服、CNC增长率为负，低压变频器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增长，其中PLC整体表现相对亮眼，达到两位数以上的增长率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技术及其在电力电子系统中的应用优势
EconoDUAL™3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用，然后介绍了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA™3模块的性能优化。通过与FF600R17ME4对比，分析了900A和750A的产品优势。最后，针对级联高压变频器和静止无功发生器的应用场景，通过仿真对比，阐明了新一代IGBT产品在输出能力和功率损耗等方面为系统带来的价值。
2022-12-15
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适用于下一代大功率应用的XHP2封装
轨道交通牵引变流器的平台化设计和易扩展性是其主要发展方向之一，其对半导体器件也提出了新的需求。一方面需要半导体器件能满足更宽的电压等级和电流等级，另一方面也要兼容电力电子器件的新技术，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。这样既有利于电力电子系统的平台化设计，也可以增加系统的功率密度，减小系统的尺寸和体积。因此，半导体器件需要具有更低的杂散电感、更大的电流等级和对称的结构布局。本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。
2022-12-05
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用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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通过利用电化学诊断技术分析传感器的健康状况
电动汽车充电系统正在不断发展。目前通常使用 400V 电池充电总线电压的 AC Level 2 壁挂式充电盒正在向需要 800V 总线电压的直流快速充电 (DCFC) 系统迁移。像碳化硅这样的宽带隙功率器件非常适合这些应用，与硅 IGBT 相比具有更低的传导和开关损耗。然而，SiC 更快的开关速率以及更高的电压会对栅极驱动器电路提出一些独特的要求。在本文中，我们将重点介绍 Murata 产品经理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022电源论坛上关于该公司用于此类栅极驱动应用的隔离式 DC/DC 转换器的演讲的某些方面。
2022-12-05
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全SiC MOSFET模块让工业设备更小、更高效
SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。
2022-12-02
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如何使用UCC217XX实现高精度的温度采样？
UCC217XX-Q1是一系列电流隔离单通道栅极驱动器，可用于驱动碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高级保护功能，一流的动态性能和稳健性。该系列隔离栅极驱动器的主要特性介绍有：
2022-11-10
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IGBT单管数据手册参数解析（上）
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件双脉冲测试平台
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全，可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。
2022-10-31
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高集成度功率电路的热设计挑战
目前随着科学技术和制造工艺的不断发展进步，半导体技术的发展日新月异。对于功率半导体器件而言，其制造工艺也同样是从平面工艺演变到沟槽工艺，功率密度越来越高。目前功率半导体器件不仅是单一的开关型器件如IGBT或MOSFET器件类型，也增加了如智能功率模块IPM等混合型功率器件类型。在IPM模块中既集成有功率器件，还集成了驱动器和控制电路IC，这样的功率半导体器件具有更高的集成度。这种混合集成型的功率半导体器件其封装结构和传统的单一功率半导体器件有一定的区别，因此其散热设计和热传播方式也有别于传统的功率半导体器件，会给使用者带来更大的热设计挑战。
2022-10-28
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IGBT驱动电路中的钳位电路
在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路，其主要目的是为了保护IGBT器件，避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数，今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。
2022-10-21
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自举电路工作原理和自举电阻和电容的选取
在一些低成本的应用中，特别是对于一些600V小功率的IGBT，业界总是尝试把驱动级成本降到最低。因而自举式电源成为一种广泛的给高压栅极驱动（HVIC）电路供电的方法，原因是电路简单并且成本低。
2022-10-19
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