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Vishay采用小尺寸绿色封装的非过零光敏光耦可节省66%的PCB空间
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦---VOM160和VOM305x。推出的器件比采用DIP-6封装的器件可节省66%的PCB空间，扩充了其光电子产品组合。
2012-06-14
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浪涌电流专用：Vishay齐纳二极管在恶劣环境中性能卓越
Vishay BZD27C 系列为硅平面 齐纳 二极管，浪涌电流规格高达 13.3A，这使它们成为在嘈杂环境中使用，或在要求性能稳定的应用中使用的理想选择。
2012-06-13
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Vishay瞬态保护二极管采用微型小尺寸封装降低空间要求
Vishay SMFxxA ESD 保护二极管采用SMF (DO-219AB) 封装，满足设备更小更薄的要求，这些设备可用于轻薄小尺寸的便携式产品中，或用于空间受限型汽车模块内，并为设计人员提供范围为 5.0V 至 51V 的反向击穿电压选项。
2012-06-12
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Vishay推出小尺寸反射光传感器 探测距离0.2mm至5mm
Vishay宣布推出采用小型SMD封装并带有晶体管输出的反射光传感器TCNT2000。TCNT2000使用了940nm发射器芯片，探测距离0.2mm～5mm，典型CTR为4%，超过同类器件2倍。借助高CTR，器件使设计者能够增加探测距离，或是用更低的电流驱动器件。
2012-06-08
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Vishay发布4款小尺寸MLCC片式天线 可在868MHz和915MHz下工作
Vishay宣布推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件，采用了Vishay的特殊材料和制造技术，符合便携式通信的MBRAI标准，可分别接收和发送868MHz和915MHz的数字信号，同时保持了小尺寸外形。
2012-06-06
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VCNL4010：Vishay具节能中断功能的集成环境光和接近传感器
Vishay VCNL4010全集成环境光和接近传感器将用于接近探测的红外发射器和光电二极管、环境光探测器、信号处理IC和一个16位ADC全部组合进小尺寸 3.95mm x 3.95mm x 0.75mm的无引线（LLP）表面贴装封装内。这款节省空间的器件支持易用的I2C总线通信接口，大大简化了在各种消费和行业应用中接收窗口和传感器的设计。
2012-06-06
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P16S:Vishay发布业内首款包含可变电阻以及内置旋钮开关的面板式电位计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布业内首款包含可变电阻和内置旋钮开关的新型面板式电位计---P16S。该电位计是针对军工、专业音响，以及工业领域内音量、速度、亮度和电压控制等紧凑型设计，例如便携式设备、通信手持机、夜视镜和驾驶室仪表板。
2012-06-04
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET导通电阻创纪录
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N沟道功率MOSFET器件，新器件实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低导通电阻，4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。
2012-05-09
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Vishay发布4款新型D/CRCW e3厚膜片式电阻的工程设计包
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通过AEC-Q200认证的D/CRCW e3厚膜片式电阻的新型工程设计套件。套件可帮助设计者选择最适合其应用的电阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可选阻值，同时样片封装在卷带条并附有单独的标签。
2012-05-08
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Vishay推出下一代D系列MOSFET，两大指标超前对手
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装，效率和功率密度达到新的水平。
2012-05-04
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Vishay PowerPAIR® MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR®功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。
2012-04-28
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Vishay推出用于3D电视的快门式眼镜的红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款专门为通用3D电视眼镜开发的红外接收器--- TSMP6000和TSMP77000，扩充其光电子产品组合。
2012-04-25
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