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利用SiC FET降低电磁干扰和开关损耗
器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案，而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是，宽禁带器件，尤其是SiC FET，可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案，以提供较低的总损耗。
2021-08-20
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CICE2021中国国际消费电子博览会
中国国际消费电子博览会是经国务院批准的全国唯一消费电子专业国际性博览会，由中华人民共和国商务部、中华人民共和国科学技术部和山东省人民政府共同主办，中华人民共和国工业和信息化部作为支持单位，至今已在青岛成功举办18届。
2021-08-20
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直流开关电源结温的直接测量法
设计人员经常需要测量直流开关电源的结温。这在温度试验箱中非常难于实现，因为热像仪不仅数据不准而且可能在高温环境下损坏，而外部温度传感器又很难固定在小尺寸封装上。本文演示了一种利用二极管电压与温度之间关系的直流电压读取方法，它使用电源正常指示 (PG) 引脚上的MOSFET 体二极管直接读出温度，为工程师提供了一种测量IC结温的实用方法。
2021-08-16
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贸泽电子与LightWare LiDAR签署全球分销协议
贸泽电子宣布与光探测和测距（激光雷达）技术的新兴制造商LightWare LiDAR LLC签署全球分销协议。签署本协议后，贸泽将向客户分销LightWare微激光雷达 (microLiDAR) 传感器系列，用于无人地面车辆 (UGV)、无人机 (UAV) 以及机器人和物联网 (IoT) 应用。
2021-08-13
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HT7180 3.7V升12V/2A内置MOS大电流升压IC解决方案
电源电路是电子产品中必不可少的部分。然而不同的器件或者模块工作电压不一样，所以DC-DC电压转换电路应用中十分常见。例如便携式电子产品，一般都内置电池，如果是单节锂电3.7V供电，通过DC-DC升压电路，从3.7V升压到5V、8V、9V、12V等再给其他电路供电。
2021-08-11
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贸泽发布最新一期的Methods技术电子杂志，对AI进行多方位探索
2021年8月10日 – 专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布发表最新一期的Methods技术与解决方案电子杂志。本期是第四期的第二册，标题为《Understanding AI》，针对人工智能 (AI) 和机器学习 (ML) 的相关问题，发表了一系列观点，并介绍了AI和ML对各行各业及各种应用的影响。
2021-08-10
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贸泽电子新品推荐：2021年6月新增超3100个物料
2021年8月9日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)，首要任务是提供来自1100多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-08-09
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打造高可靠连接设计，贸泽携手AVX举办连接器在线直播
2021年7月28日－专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布将携手AVX于7月29日10:00-11:30举办新一期主题为“单个连接器就可以满足应用要求，为什么要考虑公母配对连接器呢？”的在线研讨会。届时，来自AVX的技术专家将与观众分享AVX的单个连接器解决方案，帮助工程师快速解决设计难题。
2021-08-07
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有没有一种简单的办法来创建适合传感器偏置应用的高压电源？
提供高精度输出的可调高压电源很难构建。时间、温度和生产过程中的差异等带来的漂移通常都会导致误差。传统上用于反馈的阻性网络是常见误差源。本文提出一种利用集成电路(IC)反馈路径的新颖设计。此电路用于传感器偏置应用，与利用电阻网络提供反馈的设计相比，精度更高，漂移更低，更加灵活，甚至还能节约成本。
2021-08-07
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打造全闭环光学技术赋能智能驾驶等产业，艾迈斯欧司朗聚焦四大领域
总收入超过55亿美元；超过110年的历史；在全球广泛布局，近日，艾迈斯欧司朗市场与业务发展总监金安敏在“EEVIA第九届年度中国电子ICT媒体论坛暨2021产业和技术展望研讨会”上披露了艾迈斯欧司朗业务整合后的关键数据。
2021-08-07
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安森美：新品牌和可持续未来的承诺
2021年8月6日—安森美半导体 (ON Semiconductor，纳斯达克股票代号：ON) 在美国时间8月5日公布公司的新商号“onsemi ”和焕然一新的品牌，作为公司发展的下一步，以确立自身成为智能电源和感知技术的领先供应商。安森美 (onsemi) 持续专注于汽车和工业终端市场，已加强其创新的战略推动颠覆性创新，为汽车功能电子化、先进安全、替代能源和工厂自动化等高增长大趋势的可持续生态系统作出贡献。
2021-08-06
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快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度
众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。前一个十年，第三代半导体材料已经在基站射频、功放等通信领域崭露头角；2021年，随着“十四五”规划的提出，中国将加速推动以SiC、GaN为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，受益于功率转换的极大应用潜力，第三代半导体开始进入新一轮的增长周期。
2021-08-06
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