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聚焦新基建，2020贸泽电子技术创新主题周正式启动！
2020年6月2日－专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布将于6月至11月开启“2020 贸泽电子技术创新主题周”线上直播系列活动，着力聚焦新基建下的智能化发展。届时将邀请到业内大咖嘉宾坐镇直播间，就广大工程师及设计人员关注的话题进行深度探讨。第一期的主题周活动将以“工业控制与机器人”为专题，6月3日到5日的每天下午2点到4点贸泽将携手ADI、SiliconLabs、Vicor等国际知名原厂与行业专家们准时与你线上相约，分享行业发展、应用趋势及最新解决方案。
2020-06-02
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双电层电容器分类和优点
双电层电容器有（ElectricalDoule-LayerCapacitor），又可称超级电容器，一种新型储能装置，拥有高能量密度的电化学电容器，比一般的电解电容器容量高上千倍。双电层电容器有充电时间短、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保等特点。
2020-06-01
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安森美半导体任命Bernie Colpitts为首席会计官
2020年5月22日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，宣布任命Bernard (“Bernie”)为安森美半导体公司及其全资子公司Semiconductor Components Industries, LLC (“SCILLC”)的首席会计官，以及SCILLC财务副总裁 。 Colpitts此前是总部位于美国德克萨斯州的视频游戏零售商GameStop Corp.的高级副总裁兼首席会计官。
2020-05-28
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射频集成电路的电源管理
随着射频集成电路(RFIC)中集成的元件不断增多，噪声耦合源也日益增多，使电源管理变得越来越重要。本文将描述电源噪声可能对RFIC 性能造成的影响。虽然本文的例子是集成锁相环(PLL)和电压控制振荡器(VCO)的 ADRF6820 正交解调器，但所得结果也适用于其他高性能RFIC。
2020-05-20
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详解MEMS VOA光衰减器的工作原理
MEMS（Micro Electro Mechanical System，微机电系统）技术被广泛应用于光纤通信系统中，MEMS技术与光学技术的结合，通常称作MOEMS技术。最为常用的MOEMS器件包括光衰减器VOA、光开关OS、可调光学滤波器TOF、动态增益均衡器DGE、波长选择开关WSS和矩阵光开关OXC。
2020-05-20
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两款新器件重塑信号发生器
过去，任意波形发生器最棘手的部分是输出级的设计。典型信号发生器的输出范围在25 mV 到5 V 之间。为了驱动一个50 Ω 的负载，传统设计采用高性能分立式器件，并联大量集成器件，或者成本昂贵的ASIC，而要构造出稳定且可编程范围较宽的高性能输出级，设计师往往要投入无数小时的时间。现在，技术进步带来的放大器可以驱动这些负载，降低输出级的复杂性，同时还能减少成本、缩短上市时间。
2020-05-19
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多通道探针定位系统
具有两个以上通道的示波器会给人们带来一个共同的问题：没有任何人有足够多的手来握住两个以上的示波器探针。这一问题在使用诸如新型 PicoScope 6800E 设备等其他 8 通道示波器时尤为明显，因此对于 Pico Technology 而言，解决这一问题尤其重要。
2020-05-19
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从轻负载到重负载均实现高效率 充分地延长电池设备的续航时间
BD83070GWL是一款内置MOSFET的升降压型DC/DC转换器IC，适用于电池驱动的移动设备、可穿戴式设备及IoT设备。这款DC/DC转换器IC不仅可通过升降压工作最大限度地利用电池的能量，还在从轻负载到重负载的广泛负载条件下，均实现了高效率和超低消耗电流，从而可大幅延长电池驱动设备的续航时间。
2020-05-18
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IC引脚未在应用中使用如何处置？
在电路设计中，经常会遇到一些 IC 的引脚并未在应用中使用到的情况，那么，该如何处置呢？
2020-05-18
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意法半导体发布2020年可持续发展报告
中国，2020年5月15 日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)发布了2020年可持续发展报告。
2020-05-15
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罗姆SiC MOSFET的新产品为何采用4引脚封装
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiC MOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。
2020-05-14
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通过驱动器源极引脚将开关损耗降低约35%
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiC MOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。
2020-05-14
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