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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay扩充双芯片不对称功率MOSFET家族
Vishay Siliconix扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大简化了高效DC/DC转换器的设计
2011-11-15
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Vishay发布采用SurfLight表面发射器技术的850nm红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4线总线端口保护阵列用于便携产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容和低泄漏电流的特性可以保护高速信号线免受瞬态电压信号的损害。
2011-11-08
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P13L：Vishay发布寿命长达2百万次、适用于极端环境的新款面板式电位计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金属陶瓷面板式电位计---Sfernice P13L，这种电位计的寿命长达2百万次，全IP67密封使其能够在极端的环境条件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能。
2011-11-02
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VLMx233..系列：Vishay推出超小SMD封装的功率型Mini LED用于汽车
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的功率型Mini LED---VLMx233..系列。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色，采用最先进的AllnGaP技术，使光输出增加了3倍，并通过针对汽车应用AEC-Q101标准认证。
2011-10-28
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Vishay推出CNY64ST和CNY65ST高压隔离光耦
Vishay 宣布，推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST，扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证，具有长爬电距离和高隔离测试电压，可保护在类似太阳能发电和风电机组的电网连接等高压环境中的工人和设备。现在，希望在产品中全面使用表面贴装元器件以实现灵活生产的客户可以使用CNY64ST和CNY65ST，这两款器件填补了现有CNY6x系列通孔器件在封装形式上的空白。
2011-10-26
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
2011-10-21
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DG92xx系列：Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V单电源或±2.7V～±8V双电源工作的新器件，充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点，可用于高速、高精度开关应用。
2011-10-18
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Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关
Vishay Siliconix发布6款采用超小尺寸封装的新型低电压模拟开关宾夕法尼亚、MALVERN — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款新型采用节省空间的TDFN和MSOP表面贴装封装的低电压、高精度双路单刀单掷(SPST)模拟开关--- DG721/2/3和DG2537/8/9。这些器件具有低功率损耗和低开关噪声的性能，有利于改善信号完整性和提高系统精度
2011-10-17
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E系列：Vishay推出超低最大导通电阻600V和650V n沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。
2011-10-14
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Vishay的SiR662DP功率MOSFET获《今日电子》Top10 DC/DC电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET®功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
2011-10-11
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