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ICM-2824/3528/4743：Vishay发布高可靠性表面贴装共模扼流圈
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型表面贴装共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743，为直流电源线提供了低直流电阻、高电流处理能力和高可靠性。
2011-11-30
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Vishay大幅缩短CDR MLCC的供货周期
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为适应设备制造商对更快上市时间要求的不断提高，缩短其通过MIL认证的CDR多层陶瓷片式电容器(MLCC)的供货周期。对于至关重要的军工和航天应用，Vishay的客户可以在最快六周的时间内获得这些器件，并开始组装。
2011-11-24
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VJ CDC：Vishay发布具有集成电阻的新表面贴装MLCC用于爆破设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器(MLCC)--- VJ CDC。对于高脉冲电流应用，VJ受控放电电容器(CDC)提供了出色的稳定性，可承受1000VDC～1500VDC的高电压，容量为33nF～560nF。
2011-11-23
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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay扩充双芯片不对称功率MOSFET家族
Vishay Siliconix扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大简化了高效DC/DC转换器的设计
2011-11-15
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Vishay发布采用SurfLight表面发射器技术的850nm红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率，同时具有低热阻系数。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4线总线端口保护阵列用于便携产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容和低泄漏电流的特性可以保护高速信号线免受瞬态电压信号的损害。
2011-11-08
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P13L：Vishay发布寿命长达2百万次、适用于极端环境的新款面板式电位计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金属陶瓷面板式电位计---Sfernice P13L，这种电位计的寿命长达2百万次，全IP67密封使其能够在极端的环境条件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通过JAN认证的军用级N沟道功率MOSFET采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能。
2011-11-02
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VLMx233..系列：Vishay推出超小SMD封装的功率型Mini LED用于汽车
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的功率型Mini LED---VLMx233..系列。该系列器件具有大红、红色、琥珀色、浅桔色和黄色等几种颜色，采用最先进的AllnGaP技术，使光输出增加了3倍，并通过针对汽车应用AEC-Q101标准认证。
2011-10-28
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Vishay推出CNY64ST和CNY65ST高压隔离光耦
Vishay 宣布，推出业界首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦---CNY64ST和CNY65ST，扩充其光电子产品组合。CNY64ST和CNY65ST系列产品通过了国际安全监管机构VDE的认证，具有长爬电距离和高隔离测试电压，可保护在类似太阳能发电和风电机组的电网连接等高压环境中的工人和设备。现在，希望在产品中全面使用表面贴装元器件以实现灵活生产的客户可以使用CNY64ST和CNY65ST，这两款器件填补了现有CNY6x系列通孔器件在封装形式上的空白。
2011-10-26
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
2011-10-21
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DG92xx系列：Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V单电源或±2.7V～±8V双电源工作的新器件，充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点，可用于高速、高精度开关应用。
2011-10-18
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