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har-flex：HARTING推出PCB连接器用于板与板和板与电缆之间
HARTING全新har-flex连接器系列是一款PCB连接器，具有节省空间﹑坚固和灵活的特点，可广泛用于板与板和板与电缆之间的连接。除直接式连接器型号外，产品系列也包括兼容性绝缘移位连接器和各角度模型。
2010-11-17
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MicroTCA：HARTING推出背板连接器用于苛刻的环境
HARTING的MicroTCA背板连接器已通过MTCA.3规范草案，证明该连接器可用于苛刻环境，并通过坚固耐用性的测试。作为通信，工业和嵌入式计算机产业的领先标准组织PICMG, 近日宣布HARTING的 MicroTCA背板连接器成功完成“MicroTCA传导冷却”测试。MicroTCA的MTCA.3辅助规范适用于符合MIL - STD - 801， 对振动，冲击和温度范围有极端要求的国防和航空航天应用。目的是为了说明卡边缘连接器系统满足目标市场苛刻的环境要求。该测试是由独立的测试和研究公司CONtech Research 执行的。
2010-11-17
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日本利用常温工艺试制全固体薄膜锂离子充电电池
日本产业技术综合研究所的先进制造工艺研究部门与丰田的电池生产技术开发部门合作，利用产综研开发的陶瓷材料常温高速涂装工艺——气溶胶沉积(Aerosol Deposition，AD）法，对氧化物类的正极材料、负极材料及固体电解质材料进行薄膜层叠，在金属基板上试制出了由3层构造构成的全固体薄膜锂离子充电电池，并全球首次确认了蓄电池的充放电特性。
2010-11-16
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CMR3000:VTI推出数字输出三轴角速度传感器适用于消费电子
VTI Technologies在慕尼黑2010年国际电子元器件博览会上，针对消费电子产品运动控制应用，推出全球最小的最低功耗的数字输出三轴角速度传感器CMR3000。
2010-11-16
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MT9M024：Aptina推出高动态范围图像传感器用于汽车成像
CMOS图像传感器领域的领先创新者ApTIna近天宣布推出MT9M024图像传感器，该产品是该公司不断扩大的汽车成像解决方案组合中的最新成员。
2010-11-15
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偏振式3D显示技术原理及优缺点分析
偏振式3D技术也叫偏光式3D技术、时分法3D技术，英文为PolarizaTIon3D，配合使用的是被动式偏振3D眼镜。为什么带上偏振眼睛后能使左右眼看到完全不同的图像？这确实不太容易理解，关于偏振光和偏振眼睛的原理，这里仅作简要介绍。
2010-11-15
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2010年中国电子元器件市场峰会暨中国电子展招待晚宴圆满闭幕
――集热点市场透视、采购决策分析和供需高管互动为一体2010年11月9日 上海—电子元件技术网(www.cntronics.com)携手中国电子展、China Outlook Consulting、我爱方案网(www.52forum.com)于12月4日在上海浦东新国际博览中心成功举办了2010年中国电子元器件市场峰会。
2010-11-12
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美光在德国电子展上发表车用NOR闪存
美光科技(Micron Technology)宣布推出车用高容量 Axcell NOR 闪存，进一步强化其在汽车市场的品组合与技术。该装置采用最先进的 NOR 闪存制程技术，为通讯娱乐制造商、车内运算(in-car computing)和其他汽车电子产品提供最高容量的内存解决方案。
2010-11-11
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凌力尔特公司 & Energy Micro 演示未来的智能能量收集技术
在2010年慕尼黑电子展上，凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 和 Energy Micro公司将他们在能量收集电源和超低功率32位微控制器方面的技术结合起来进行了一个创新演示，展示了智能能量收集应用的机会。
2010-11-10
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element14推出限量版工具包
业界首个融合电子商务与在线社区、并服务于全球数百万工程师和专业采购人员的派睿电子亚太区母公司element14（前身为Premier Farnell亚太区）近日宣布，作为全新品牌发布的一部分，将向亚太区客户推出限量版工具包（Limited EdiTIon Toolkits）…
2010-11-08
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法国ATI电子---互通公司瞄准中国市场
第76届中国（上海）电子展是法国ATI电子---互通公司第一次参加中国电子展，也是在中国地区的第一次参展。展会上将展示公司所有的成熟产品，同时介绍新的产品，其中两个产品N100 系列和700系列应用广泛，值得期待。
2010-11-03
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H2Ti12O25：日本产综研开发出新型氧化物负极材料用于锂离子充电电池
日本产业技术综合研究所（产综研）开发出了锂离子充电电池用新型氧化物负极材料。据产综研介绍，这一成果有助于实现锂离子充电电池的高容量化、低成本化以及长寿命化。此次还同时开发出了可在200～300℃相对较低的温度下进行合成的方法。
2010-11-02
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