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消除“间隙”：力敏传感器如何推动新颖的HMI设计
我们用来与系统或机器交互的控制装置已经发生了巨大变化；从起初电话机上的旋转拨号盘、开关，或用于开车门的实体钥匙，曾经粗陋的设备现已转变为更为时尚、直观的用户界面，让我们能够与机器无缝连接。这篇文章将探讨人机界面（HMI）如何彻底改变我们与技术的交互模式。
2023-11-27
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NPC2三电平拓扑横管过压保护开关逻辑
NPC2三电平拓扑因为其效率高，谐波含量低，在光伏逆变器设计中应用非常广泛。由下图可以看到，NPC2由四个开关管构成，包含竖管T1/T4，横管T2/T3。
2023-11-25
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eFuse在汽车域控制器架构中如何提供更智能的保护？
汽车应用的电气化和自动化趋势推动了域控制器的兴起，用以减轻线缆重量并将车辆架构简化为多个局部化的电源中心。设计人员可以利用这种新兴架构，将传统保险丝和机械继电器替换为更紧凑的电子保险丝 (eFuse)，以提供更先进的保护功能，包括故障情况下更快速、更准确的响应。eFuse 将保护和开关功能集成到单个小尺寸封装中。
2023-11-25
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利用IO-Link实现小型高能效工业现场传感器
无论过去还是现在，在许多情况下，工业传感器都是使用模拟型。其中包含检测元件，以及将检测数据传输至控制器的某种方式。数据采用单向模拟方式进行传输。之后出现了二进制传感器，该传感器提供数字开/关信号，包含检测元件（电感、电容、超声波、光电等）和半导体开关元件。
2023-11-24
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如何利用电压输入到输出控制自动优化LDO稳压器的效率
低压差(LDO)稳压器是为噪声敏感设备供电的可靠工具。除了提供直接电源轨外，LDO稳压器还能对其他电源进行后置调节。来自开关转换器的噪声会渗透到许多设计中，通常需要下游LDO稳压器来消除噪声。LDO稳压器虽然有效，但其功耗可能对系统效率产生负面影响。专门设计的电压输入到输出控制(VIOC)引脚可通过单一连接降低功耗并提高效率。VIOC引入了对开关转换器的自动控制，可使系统实现出色效率。本文重点介绍一款超低噪声LDO稳压器，其性能优于无VIOC的LDO稳压器。
2023-11-22
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pHEMT功率放大器的有源偏置解决方案
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路。我们还将仔细研究这些偏置电路的噪声和杂散对RF性能有何影响。
2023-11-22
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如何赋能新一代宽带隙半导体？这三类隔离栅极驱动器了解一下~
在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。
2023-11-12
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能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
2023-11-12
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通过碳化硅(SiC)增强电池储能系统
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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用于离线电源的开关 IC
本应用笔记适用于使用 LinkSwitch-II 系列器件设计隔离式 AC-DC 反激式电源的工程师。它提供了指导原则，使工程师能够快速选择关键组件并完成合适的变压器设计。为了简化任务，本应用笔记直接引用了 PIXls 设计电子表格，它是 PI Expert? 设计软件套件的一部分。
2023-11-04
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PI技术经理Jason Yan：1250V氮化镓开关IC是一个重要的里程碑
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC前不久，集邦咨询发布2022年氮化镓（GaN）主要厂商出货量排名，数据显示Power Integrations（PI）以20%的市占率在2022年全球GaN功率半导体市场排名第一。这与PI的GaN发展策略和产品布局不无关系。
2023-11-04
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