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常见三相PFC结构的优缺点分析，一文get√
为了满足应用的要求，为PFC选择的拓扑结构是一个重要考虑因素，它们将决定整体的解决方案和性能。此外，并非所有拓扑结构都可以满足所有要求，就像并非所有拓扑结构都支持三电平开关或双向性。之前我们介绍过三相功率因数校正系统的优点和设计三相PFC时的注意事项，本文将介绍一些常见的三相拓扑结构并讨论它们的优缺点。
2024-01-04
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功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡
众所周知，硅（Si）材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼，构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今，碳化硅（SiC）材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料，它可以实现更高功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域，从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。
2023-12-25
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如何在下一代 MCU 应用中实现投影显示
晶闸管是一种具有S形电流-电压特性的半导体器件。它们是一种带有状态存储器的托管按键，当控制信号施加到晶闸管的输入时，它们就会打开。当使用直流电时，可以通过去掉电源电压来关断晶闸管。晶闸管的一个重大且不可避免的缺点是它们具有低输入阻抗，重要的是，它们不具有调整开关阈值的能力。
2023-12-25
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LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
在ACDC开关电源设计过程中，当需要实现高效率设计需求时，工程师往往会考虑LLC谐振半桥拓扑结构。LLC拓扑结构可以实现软开关，因此在开关电源设计尤其是在大功率的开关电源设计过程中往往具有优势。目前市面上经常可以看到的NCP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓扑结构控制芯片家族的代表成员。
2023-12-22
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具有受控开关阈值的晶闸管模拟
晶闸管是一种具有S形电流-电压特性的半导体器件。它们是一种带有状态存储器的托管按键，当控制信号施加到晶闸管的输入时，它们就会打开。当使用直流电时，可以通过去掉电源电压来关断晶闸管。晶闸管的一个重大且不可避免的缺点是它们具有低输入阻抗，重要的是，它们不具有调整开关阈值的能力。
2023-12-22
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适配于氮化镓开关器件的高频小体积照明电源方案
随着物联网，尤其是智能照明和智能家居的发展，高效高性能的小体积电源越来越被市场所需求。如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能够保证最好的性能？安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。
2023-12-20
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SiC MOSFET用于电机驱动的优势
低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。
2023-12-20
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集成理想二极管、源选择器和eFuse有助于增强系统鲁棒性
理想二极管使用低导通电阻功率开关（通常为MOSFET）来模拟二极管的单向电流行为，但没有二极管的压降损失。借助额外的背靠背MOSFET和控制电路，该解决方案可以提供更多的系统控制功能，例如优先源选择、限流、浪涌限制等。在传统解决方案中，这些功能分散在不同的控制器中，因此实现完整的系统保护会很复杂且麻烦。这里我们将研究理想二极管的主要电路规格，并介绍一个应用示例和新的理想二极管解决方案，该解决方案还在单个IC中集成了实现整体系统保护所需的其他功能。
2023-12-18
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MOS非理想性对VLSI电路可靠性的影响
在快速 VLSI 电路中，晶体管每秒开关数百万次。在开关过程中，被称为“热载流子”的高能载流子（电子或空穴）很容易注入并捕获在栅极氧化物中。这种热载流子注入会导致栅极氧化物中出现杂质，从而改变器件的 I-V 特性。
2023-12-14
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泰克助力汽车测试及质量监控实现效率和创新最大化
对于功率器件工程师而言，最大限度降低开关损耗是一项严峻挑战，尤其对于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程师更是如此。这种先进材料有望提高效率，但也有其自身的复杂性。测量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管 (GaN MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的开关参数，并评估其动态行为的标准方法是双脉冲测试 (DPT)。
2023-12-05
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面向汽车应用的智能电子保险丝 提高48 V电气系统架构安全性
由于在轻型混合动力车辆中集成了48 V电气系统和48 V标准，因而需要重新评估过流或短路保护，因为在48 V（电源电压）下，继电器触点之间的距离要求大于12 V 电压下情形，才能熄灭保护继电器开关时产生的电弧。这会导致延迟关断和加速触点磨损。
2023-11-30
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如何优化SiC栅级驱动电路？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。之前的文章中，我们介绍了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天将带来本系列文章的第二部分SiC栅极驱动电路的关键要求和NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能。
2023-11-29
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