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VJ汽车系列：Vishay 推出弯曲应力更高的多层陶瓷片式电容器用于传感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为减少由板弯曲开裂引发的失效，推出新的VJ汽车系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)，可选的聚合物端接能够承受更高的弯曲应力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R电介质，每种器件都有很多外形尺寸、电压等级和容值可供选择。
2011-09-30
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VCUT05D1-SD0：Vishay推出超小型ESD保护二极管用于便携电子产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容，可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰，并大大节省PCB空间。
2011-09-28
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IHLP-3232CZ-11：Vishay推出小尺寸高电流电感器用于移动设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用3232外形尺寸的IHLP®小尺寸、高电流的电感器---IHLP-3232CZ-11。IHLP-3232CZ-11尺寸小巧，具有8.26mm x 8.79mm的占位面积和3.0mm的超低高度，低至1.62mΩ的最大DCR和0.22µH～33.0µH的标准感值能够让系统高效工作。
2011-09-21
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Vishay发布18款FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt® Hyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷，其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。
2011-09-15
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WSK0612：Vishay推出业内首个4接头、1W的检流电阻用于电流检测
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06
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WSLP2726/4026：威世推出高功率低阻值Power Metal Strip®电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2726和WSLP4026，该电阻兼具5W～7W的高功率等级和0.5mΩ的极低阻值。器件采用4接头设计，可实现1.0%的稳定电阻容差。
2011-09-01
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Vishay 技术专场华丽登陆成都和西安！
受环保意识高涨和日本核泄漏的影响，太阳能发电和风力发电越发成为新能源利用的核心。太阳能发电风电实现并网的核心组件是光伏逆变器和风电变流器。效率和可靠性是逆变器、变流器设计的关键，而新型功率器件和被动元件的使用可以有效降低逆变器/变流器损耗，提高效率和可靠性。针对这一需求，国际知名分立器件和被动元件供应商威世公司（Vishay）推出包括电容、电源管理、二极管与功率模块、光耦等全方位的元器件解决方案。
2011-08-25
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Vishay西部新能源元器件体系概述
知名分立器件和被动元件供应商Vishay 于23日在成都明悦大酒店举办了在西部电子论坛的首站演讲——成都Vishay 技术专场讲座，会议集二极管与功率模块、光耦、电源管理、电容四场技术演讲，全面讲解了新型元器件在新能源、逆变器、通讯、高可靠性和工业领域的设计。
2011-08-25
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Vishay 新型电子元器件在工业及新能源中的应用
知名分立器件和被动元件供应商Vishay 继23日在成都成功举办了技术专场之后，25日整体技术团队移师西安，进一步把在工业及新能源应用的新型元器件技术带给西部的电子市场。会议集电源管理、二极管与功率模块、电容、光耦四场技术演讲，全面讲解了新型元器件在新能源、逆变器、通讯、高可靠性和工业领域的设计。
2011-08-25
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Vishay扩展VLMW41XX系列，确保LED应用的颜色均匀性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为满足在各种照明应用中对颜色均匀性的要求，Vishay扩大了VLMW41XX系列采用PLCC-2封装、基于蓝宝石的冷白光SMD LED的色域装箱和订购选项。器件现可提供14种不同的色域，根据CIE1931进行非常窄的色度坐标分组。另外，Vishay的客户可以订购由4中相近色域组成的LED。
2011-08-19
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SiB437EDKT：Vishay推出微型低导通电阻功率MOSFET用于便携设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18
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VJ系列：Vishay推出无磁性电容器用于MRI(磁力共振影像)设备
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质，提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。
2011-08-15
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