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OptiMOS系列：英飞凌推出200V和250V器件
英飞凌近日推出200V和250V OptiMOS系列器件。相对于其他同类产品，很低的优质化系数（FOM）使OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50％，该公司并未透露FOM的具体数值。该系列器件适用于48V系统、DC/DC变换器、UPS和直流电机驱动。
2010-02-02
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iCharge DX：日本厂商推出便携式太阳能充电器
由日本周边厂商Linksinternational推出一款便携式太阳能充电器“iCharge DX”，这款多功能充电器适用于各种主机，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各种便携式电子设备。
2010-02-01
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英飞凌推出新一代多模HSPA+射频收发器SMARTiTM UE2
英飞凌无线解决方案部副总裁兼智能手机与射频业务分部总经理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2显著改善了所有关键性能指标：成本、尺寸、功耗和射频性能。我们成熟、领先的射频技术，可确保客户开发出外形极其灵活、电池寿命更长的全新智能手机和移动互联网设备。”
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出适用于汽车的DirectFET 2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
2010-01-29
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LED与OLED未来潜力巨大成本下降仍需时间
根据市场研究机构SBI(SpecialistsinBusinessInformation)预估，全球LED与OLED现今市场规模已经超过50亿美元，而美国就占据了10亿美元市场值。这比起2007年足足成长50%以上。SBI进一步预估，2013年全球LED与OLED市场规模将可达140亿美元，而美国可达30亿美元之市场规模。
2010-01-29
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OptiMOSTM系列：英飞凌推出性能领先业界的200V和250V 器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数（FOM），OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
2010-01-27
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。
2010-01-27
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微机电运动传感器浅谈
MEMS运动传感器囊括多种传感器技术。用来测量物体加速度的传感器叫做加速度传感器（加速度计）；用来测量物体角速度的传感器叫做角速度传感器（陀螺仪）；也有将二者相结合的惯性测量单元（IMU；Inertial Measurement Unit）。另外，还有测量高度变化的气压计，以及感测绝对方向的电子罗盘。
2010-01-27
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X-Fest 2010研讨会深圳站结束 Spartan-6应用受关注
1月21日，安富利电子元件 (Avnet Electronics Marketing) 与赛灵思公司（Xilinx, Inc.）携手举办的X-Fest 2010系列研讨会深圳站活动圆满结束。至此，整个中国大陆四站活动全部结束，中国大陆四站总共吸引听众1400多人。
2010-01-26
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TI推出降低上表面热阻的功率MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
2010-01-21
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面向高电流DC/DC应用、降低上表面热阻的功率MOSFET
TI 高级副总裁兼电源管理全球经理 Steve Anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”
2010-01-18
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