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IOTE 2025深圳物联网展：七大科技领域融合，重塑AIoT产业生态
2025年8月27-29日，深圳国际会展中心（宝安）将迎来IOTE第24届国际物联网展的科技盛宴。在全球AIoT技术深度赋能产业转型的关键节点，本届展会首次构建跨领域协同生态，强势整合通用人工智能（AGIC）、智慧商显、电子纸、行业智能解决方案、嵌入式系统、AI玩具及边缘计算七大前沿领域。通过推动“数据感知 - 智能决策 - 场景落地”全链路贯通，展会将加速智能制造迭代升级、助力智慧城市系统优化、重构智慧生活新范式，为500+参展企业搭建技术创新与产业升级的核心枢纽。
2025-07-01
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MHz级电流测量突破：分流电阻电感补偿技术解密
在第三代半导体（SiC/GaN）驱动的ns级开关场景中，表面贴装分流电阻（SMD CVR）的寄生电感已成为高频电流测量的首要瓶颈。实测表明：2mΩ/2512封装电阻在150V/ns瞬态下产生＞38%电压过冲，导致1MHz频点测量误差飙升至8.7%（Vishay WSLP2512测试数据），严重制约车载电控、射频功放等对DC-3MHz带宽、±1%精度要求的应用。本文提出基于矢量网络分析仪（VNA）的频响建模技术，通过精准量化寄生参数（Lp/Cp），并设计临界阻尼RC补偿网络，将1MHz测量误差压缩至＜1%、过冲抑制＞90%，单方案成本＜$0.1，为高可靠性功率系统提供底层保障。
2025-07-01
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一文读懂SiC Combo JFET技术
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。
2025-06-26
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离座秒锁屏！意法半导体新推人体存在检测技术守护PC智能设备隐私安全
意法半导体（STMicroelectronics）近日发布新一代人体存在检测（HPD）技术，通过集成FlightSense™飞行时间（ToF）传感器与AI算法，为笔记本电脑、PC及显示设备带来能效与安全性的双重突破。该方案可降低设备日用电量超20%，同时强化隐私保护与信息安全。其核心功能包括：基于头部姿态识别的智能屏幕亮度调节、用户离席自动锁屏与返座唤醒，以及多人围观时的隐私警报。结合Windows Hello生物识别技术，用户无需手动操作即可完成设备交互，体验全面升级。
2025-06-26
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安森美SiC技术赋能AI数据中心，助力高能效电源方案
紧跟人工智能的算力步伐，全球数据中心正面临前所未有的能耗挑战。面对大模型训练、实时推理等场景带来的指数级能耗增长，全球领先的智能电源与感知技术供应商安森美（onsemi）正式推出《AI数据中心系统方案指南》，首次系统性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技术的全链路电源解决方案，为下一代超算中心提供从电网接入到芯片供电的完整能效优化路径。
2025-06-25
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控制回路仿真入门：LTspice波特图分析详解
在电源设计中，控制回路的稳定性是确保电源可靠运行的关键。一个设计不当的控制回路可能导致电源振荡、输出纹波过大，甚至降低电磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的响应速度直接影响到电源对负载变化和输入电压波动的适应能力。为了确保电源的稳定性和高效性，控制回路的仿真分析至关重要。
2025-06-25
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破局电动车续航！罗姆第4代SiC MOSFET驱动助力丰田bZ5性能跃迁
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。
2025-06-24
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战略布局再进一步：意法半导体2025股东大会关键决议全票通过
意法半导体（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股东大会于荷兰阿姆斯特丹圆满落幕，大会全票通过所有决议案。作为全球多重电子应用领域领导者，此次决议将为公司战略布局注入新动能。
2025-06-20
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从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。
2025-06-19
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破解工业电池充电器难题：升压or图腾柱？SiC PFC拓扑选择策略
工业设备电动化浪潮下，电池充电器面临严苛挑战：需兼容120-480V宽压输入，在震动/粉尘/温变等恶劣条件下实现高效供电，同时满足尺寸重量极限压缩与无风扇散热需求。本文聚焦PFC级核心设计，对比升压与图腾柱拓扑的实战优劣，解析SiC MOSFET如何重构工业充电器性能边界。
2025-06-19
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高结温IC设计避坑指南：5大核心挑战与应对策略
在商业、工业及汽车电子领域，高温环境对集成电路的性能、可靠性和安全性构成严峻挑战。随着应用场景向极端温度条件延伸，高结温引发的漏电增加、寿命衰减等问题日益凸显，亟需通过创新设计技术突破技术瓶颈。本文将解析高温对集成电路的深层影响，揭示高结温带来的五大核心挑战，并探讨针对性的高功率设计解决方案。
2025-06-18
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高功率镀膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25电源首次运行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研发的 HiPSTER 25 紧凑型高性能高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）脉冲电源成功完成首次运行。Ionautics 成立于 2010 年，长期深耕于电离物理气相沉积领域， HiPSTER 25提供高达 25kW 功率，不仅重新定义了行业高效运行模式，还极大提升了性能与能量效率。
2025-06-13
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