硅功率MOSFET前景堪忧？

30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？

2013-05-15

第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计

通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能效。

2013-05-14

负荷开关的作用

2013-05-13

ST、英飞凌齐推超结MOSFET 皆青睐TO247-4封装技术

近日，意法半导体（ST）推出首款MDmesh V超结MOSFET晶体管，扩大其高能效功率产品阵容。该产品采用了创新的4针封装，增加专用控制输入。新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。

2013-05-11

电吹风电路图

日常生活中，电吹风是必备品，电吹风的规格大小，主要按电功率划分，常用的规格有250瓦、350瓦、450瓦、550 瓦、850瓦、1000瓦，1200瓦等。电吹风虽然在型式、款式和大小上有很大差别，但它们的内在结构大体相同，主要由电动机和它的驱动风叶、发热元件及电器控制开关件三大部分组成。电动机、风叶和外壳结构件结合起来，便形成一部微型的吹风机。

2013-05-11

电路规律和电路功率

电流流过的回路叫做电路，又称导电回路。最简单的电路，是由电源，负载，导线，开关等元器件组成。电路有其一定的电路定律。下面我们就一起来看看电路的内容吧。 电路

2013-05-11

基于UCC27531的电源开关驱动设计

德州仪器UCC27531单通道栅极驱动器可以非常靠近电源开关栅极放置。相比在一块单IC中组合高侧/低侧栅极驱动器，它的灵活度更高，可帮助最小化驱动器和电源开关之间的电感，并让设计人员能够更好地控制开关栅极。

2013-05-09

SiC BJT：比同类产品实现高达40%的输出功率提升

飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一个替代技术，它可以在更高的温度下转换更高的电压和电流。SiC BJT允许更高的开关频率，传导和开关损耗降低(30-50%)，从而能够在相同的尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

2013-05-08

Diodes推出新型电源开关，支持高达2.5A连续输出电流

近日，Diodes公司推出了最新限流电源开关系列，以2mm x 2mm超小封装带来高电流处理能力，提升了USB接口的功率密度。这六款全新单通道器件的导通电阻(Rds(on))仅为70mΩ，连续输出电流最高可达2.5A。

2013-05-07

PI推出支持LED照明应用的Expert Suite 9.0电源设计软件

近日，Power Integrations宣布推出其广受欢迎的电源设计软件的更新版本-PI Expert Suite 9.0。新版软件现在增加了对其LinkSwitch-PL和LinkSwitch-PH LED驱动器IC以及近期推出的TinySwitch-4离线式开关IC产品系列的设计支持。

2013-05-07

Vishay推出低至20mΩ导通电阻的P沟道高边负载开关

近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的导通电阻为20mΩ，将4.5V下的导通电压上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。

2013-05-06

选择正确的MOSFET

知道怎么选择正确的MOSFET吗？今天我们就来教你选择正确的MOSFET。本文主要讲解的是MOSFET的选择、第一步：选用N沟道还是P沟道、第二步：确定额定电流、第三步：确定热要求和第四步：决定开关性能和选择正确的MOSFET的结论。

2013-05-03