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SiC BJT:比同类产品实现高达40%的输出功率提升

发布时间:2013-05-08 责任编辑:felixsong

【导读】飞兆半导体最近推出的碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)将成为IGBT的下一个替代技术,它可以实现在更高的温度下转换更高的电压和电流。并且SiC BJT允许更高的开关频率,传导和开关损耗降低(30-50%),从而能够在相同的尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求,工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的 难题。然而,在可再生能源、工业电机驱动器、高密度电源、汽车以及井下作业等领域,要想增强这些关键设计性能,设计的复杂程度就会提高,同时还会导致总体 系统成本提高。

为帮助设计人员解决这些难题,飞兆半导体公司开发成功了非常适合功率转换系统的碳化硅(SiC)技术解决方案,进而拓展了该公司在创新型高性能功率晶体管技术领域的领先地位。

飞兆 SiC BJT是下一代功率器件技术
1:飞兆SiC BJT是下一代功率器件技术

电源系统设计人员关于硅的困境
2:电源设计人员关于硅的困境

在飞兆半导体SiC组合中首先要发布的一批产品是先进的SiC双极结型晶体管(BJT)系列,该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性,并且能够顺利 地进行高温工作。通过利用效率出色的晶体管,飞兆半导体的SiC BJT实现了更高的开关频率,这是因为传导和开关损耗较低(30-50%),从而能够在相同尺寸的系统中实现高达40%的输出功率提升。

这些强健的BJT支持使用更小的电感、电容和散热片,可将系统总体成本降低多达20%。这些业界领先的SiC BJT性能出众,可促进更高的效率和出色的短路及逆向偏压安全工作区,将在高功率转换应用的功率管理优化中发挥重大作用。

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SiC BJT
:史上最高效率的1200V功率转换开关
http://www.cntronics.com/power-art/80020702

[page]
SiC BJT的特性:

1
)有史以来最高效的1200V功率转换开关---最低的总损耗,包括开关、传导及驱动器损耗。所有1200V器件中最低的开关损耗(任意RON条件下);

2
)简单直接的驱动----常关功能降低了风险和复杂程度,并减少了限制性能的设计。稳定的基极输入,对过压/欠压峰值不敏感;

3
)强健且可靠---额定工作温度高:Tj=175°C。由于RON具有正温度系数,增益具有负温度系数,因此易于并联。稳定持久的Vbe正向电压和反向阻隔能力。

飞兆SiC BJT可靠性与耐用性
3:飞兆SiC BJT可靠性与耐用性
 
飞兆半导体还开发了即插即用的分立式驱动器电路板(15A50A版本),作为整套碳化硅解决方案的一部分,与飞兆半导体的先进SiC BJT配合使用时,不仅能够在减少开关损耗和增强可靠性的条件下提高开关速度,还使得设计人员能够在实际应用中轻松实施SiC技术。飞兆半导体为缩短设计 时间、加快上市速度,还提供了应用指南和参考设计。应用指南可供设计人员获取SiC器件设计所必需的其他支持;参考设计有助于开发出符合特定应用需求的驱 动器电路板。

飞兆SiC BJT的目标应用
4:飞兆SiC BJT的目标应用

飞兆半导体的SiC特性:

飞兆半导体的SiC特性包括:1)经过优化的半标准化自定义技术解决方案,可充分利用自身较大的半导体器件与模块封装技术组合;2)凭借功能集成和设计支 持资源简化工程设计难题的先进技术,可在节约工程设计时间的同时最大限度地减少元器件数量;3)具有尺寸、成本和功率优势的较小型先进封装集成了领先的器 件技术,可满足器件制造商和芯片组供应商的需求。

封装和报价信息(订购1,000个,美元)

飞兆半导体的SiC BJT采用TO-247封装;符合条件的客户从现在起即可获取工程设计样本。

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