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Pickering 推出 LXI 大电流开关系列，支持最高 80A、300V 信号
2026年8月，英国滨海克拉克顿——作为电子测试与验证领域模块化信号开关及仿真解决方案的领先供应商，Pickering Interfaces 宣布推出 60-191 LXI 大电流与感测 SPST 开关系列。作为 Pickering 迄今为止电流容量最高的开关产品，该全新系列可切换最高 80A、300V 的信号，同时简化自动化测试系统中多路大电流电源的分配、排序与管理。
2026-08-07
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英飞凌推出面向大批量工业自动化应用的紧凑型ISSI20BxxF系列
2026年7月29日，德国慕尼黑讯——全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新ISSI20BxxF固态隔离器（SSI）系列，将固态隔离技术引入过去主要由光隔离器（PVI）、光继电器（PVR）及机电继电器（EMR）覆盖的大批量应用场景。该系列采用紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装，占板面积与现有光隔离器方案相当，帮助设计人员在空间受限的方案中无缝升级至SSI技术，同时具备更强的驱动能力、集成保护功能，以及更灵活的功率开关选型优势。其目标应用涵盖固态继电器模组、PLC输入输出模块、工业自动化、实验室直流供电、自动测试设备、低压楼宇自动化以及电信基础设施等领域。
2026-07-29
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英飞凌推出面向大批量工业自动化应用的紧凑型ISSI20BxxF系列
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新ISSI20BxxF固态隔离器（SSI）系列，将固态隔离技术引入过去主要由光隔离器（PVI）、光继电器（PVR）及机电继电器（EMR）覆盖的大批量应用场景。该系列采用紧凑型PG-DSO-8 150 mil封装，占板面积与现有光隔离器方案相当，帮助设计人员在空间受限的方案中无缝升级至SSI技术，同时具备更强的驱动能力、集成保护功能，以及更灵活的功率开关选型优势。其目标应用涵盖固态继电器模组、PLC输入输出模块、工业自动化、实验室直流供电、自动测试设备、低压楼宇自动化以及电信基础设施等领域。
2026-07-29
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从SSD到光模块：圣邦微电子推出5.5V，10A，导通电阻4mΩ的负载开关SGM25665
圣邦微电子推出SGM25665，一款5.5V，10A，导通电阻4mΩ的负载开关。该器件可应用于固态硬盘、台式机和笔记本电脑、工业电脑，及光模块等领域。
2026-07-28
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合适的开关电源控制方案
近日，旷世之声发布QCC Dongle Pro2旗舰蓝牙发射器。该产品搭载第二代高通S5音频平台，支持Snapdragon Sound™骁龙畅听技术，aptX™、aptX™ HD、aptX™ Adaptive、aptX™ Lossless等高品质音频编解码以及蓝牙6.1。凭借无损音频传输、更稳健的无线连接以及更低延迟的影音游戏表现，这款新品将为不同生态设备用户带来媲美专业级标准的音频体验。骁龙与旷世之声的携手创新，让音频成为个人AI的重要交互界面之一，让跨终端的沉浸式无缝体验触手可及。
2026-07-23
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ST车载功率器件的EMI抑制：兼顾合规、安全和性能的设计方案
电磁兼容性（EMC）是指器件、设备或系统在电磁环境中按设计预期正常工作，且不出现性能下降和故障的能力。在汽车设计方面，电磁干扰（EMI）是亟待解决的重大难题。随着汽车电动化、网联化以及控制软件化不断提高，电磁干扰抑制在现代车载功率电子系统中尤为关键。车载功率电子系统要求元器件不仅具备高能效和保护功能，还必须拥有优异的抗电磁干扰性能，能够在电磁干扰环境中正常稳定运行。在设计中需注意控制传导发射与辐射发射两类电磁干扰，同时不能损害开关性能、诊断准确度和功能安全性。
2026-07-10
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从机器人、智能汽车到AI数据中心电源，意法半导体精彩亮相慕尼黑上海电子展
中国上海，2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
2026-06-30
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Eggtronic与瑞萨联合推出500W太阳能微型逆变器参考平台
意大利摩德纳功率电子混合信号控制器厂商Eggtronic宣布，与日本东京瑞萨电子联合开发了一款500W太阳能微型逆变器参考平台。该设计将Eggtronic的EPIC混合信号控制技术与瑞萨电子的双向氮化镓（GaN）开关相结合，通过一种高效率架构，帮助微型逆变器OEM厂商和系统制造商开发下一代太阳能微型逆变器及其他电能转换应用。
2026-06-26
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利用LTspice®的FFT分析功能测量电容器有效纹波电流
本文为电源设计人员提供了一套行之有效的方法，用于测量开关电源中铝电解电容(Al-Ecaps)的有效纹波电流，该参数是估算电容使用寿命的关键依据。这套方法借助LTspice处理实测数据，能够精确计算有效纹波电流，而纹波电流正是导致电容内部发热、加速性能衰减的核心诱因。这套方法将示波器采集的数据转换为分段线性(PWL)信号源，通过自动快速傅立叶变换(FFT)分析，计入与频率相关的加速因子。借助这套工作流，无需使用昂贵测试设备，也不必依赖过于简化的近似估算，即可完成对电容有效纹波电流及对应内部温升的验证。
2026-06-25
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碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。
2026-06-16
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降压稳压器输出电压纹波测量中的高频噪声
与低压差(LDO)稳压器相比，开关电源具有更高的效率和更强的功率处理能力。但与此同时，功率场效应晶体管(FET)的快速开关瞬态过程会产生向周围辐射的电磁噪声。在测量输出电压纹波时，这类辐射噪声可被检测到，并表现为高频噪声。倘若测试设置不当，可能会影响开关电源的真实性能表现。本文分析了电压测量中出现高频噪声的根本原因，并阐述客户是否需要为这类噪声担忧。文章通过Ansys Maxwell仿真模拟电源周围的辐射磁通分布，直观呈现辐射效应。此外，本文提出了一种可测量电路中实际输出电压纹波并识别高频噪声引发的潜在问题的方法。
2026-05-29
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利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制--第二部分：设计、实现方案和评估结果
本文讨论了一种简单而有效的低压差(LDO)稳压器电压裕量（LDO输出电压与输入电压之差）控制方法，即采用基于电流源基准架构的开关稳压器。它通过一种结构化方式来控制LDO裕量，同时确保在不同输出电压下实现高效率与低噪声的平衡。文中包括实际电路实现方案、基于仿真的验证和实际性能结果，重点强调了节能且噪声敏感系统的设计考量因素。
2026-05-27
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