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输入冲击电流抑制电路设计
在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输入冲击电流过大时，可能触发前端供电设备的过流保护或前端空气开关、断路器等跳闸保护。因此设计出合适的输入冲击电流抑制电路，可以有效的避免设备接通瞬间前端设备触发保护而停止工作，从而提高系统的可靠性。
2023-09-06
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模拟开关充当 DC／DC 转换器
如果您使用适当的本地化 dc/dc 转换器来生成 -5V 偏置，许多需要 65V 电源的低电流设备可以在单个 5V 电源环境中可靠地运行。通常，这些 5V IC 的功能和优势远远超过额外的 -5V 转换器功能带来的轻微不便和增加的成本。许多公司生产各种额定功率和尺寸的 DC/DC 转换器 IC 和模块。
2023-09-01
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为什么需要电平转换？
反相降压-升压电路产生的负电压幅度可以高于或低于可用正电压的幅度。例如，从+12 V可以生成-8 V，甚至-14 V。当使用具有反相降压-升压电路的开关稳压器IC时，系统可能需要设计通信引脚。如果确实需要，设计人员必须进行充分的电平转换，以便可以利用同步和使能信号。
2023-09-01
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为开关稳压器选择正确类型的输出电容器
本系列之前的文章研究了降压开关稳压器的电气行为，提供了初始电感器尺寸的指导，并讨论了电感器电流和电感的微调。现在，借助 LTspice 仿真和下面的原理图（图 1），我们将探讨电容器特性与开关模式降压转换器性能之间的关系。
2023-08-31
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为降压开关稳压器选择电感器
本系列的上一篇文章介绍了如何为降压开关稳压器选择电感器值。本周，我们将仔细研究开关模式转换器中的电感器电流，并考虑增加或减少电路电感的潜在好处。
2023-08-27
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纳芯微容隔技术，从容应对电源难题
电器产品都会用到电源，常见的电源包括调压电源、开关电源、逆变电源、变频电源、不间断电源等。大部分电源都需要有隔离器件，以保证设备和人身安全。因采用的隔离技术不同，隔离效果也不一样。因此，选择隔离产品应该扬长避短，尽可能将系统性能做到最佳。
2023-08-24
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Transphorm推出短路耐受时间长达5微秒的氮化镓功率晶体管
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑。这项短路技术已在Transphorm新设计的一款15mΩ 650V 氮化镓器件上进行了验证。值得注意的是，在 50 kHz 的硬开关条件下，器件的峰值效率达到 99.2%，最大功率为12kW , 不仅展示了器件的优良性能和高可靠性，也符合高温高电压应力规格要求。
2023-08-24
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有效测量碳化硅信号
碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的组件和模块，作为系统升级和系统设计的新选择。
2023-08-22
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适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。
2023-08-21
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电源应用常见问题之输出异常
本文简述了开关电源应用常见问题中的输出异常问题，并简要分析了问题产生的原因，同时给出了对应的验证方法和解决及预防的办法，以减少电源在不同应用中产生输出异常的可能，提升系统可靠性。
2023-08-17
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如何使用LM317作为开关来打开和关闭电源负载
今天我们将学习如何使用LM317作为开关来打开和关闭电源负载。它仍然具有相同的保护性能。即使频率更高。这一切都始于Dave在22Hz时钟脉冲发生器电路中问道：“这是否适用于22vdc电池组，以在60Hz下提供60VAC电压？
2023-08-17
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如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您
在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-15
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