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GaN耐压600V产品亮相,SiC功率元件开发加快
进入2012年后,SiC功率元件的开发也在加快,最先行动的是罗姆,,科锐及三菱电机则紧跟其后。GaN功率元件在2012年也有长足进步,已有耐压600V的GaN功率晶体管产品亮相,2013年相关行动将更为活跃。
2012-12-26
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罗姆首款无需肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块已开始量产
通常,为了实现大电流化,一般采用增加MOSFET使用数量等方法来实现,但这需要整流元件即二极管配套使用,因此长期以来很难保持小型尺寸。罗姆近日成功开发出无需整流元件—二极管的SiC功率模块,支持1200V/180A,大幅降低逆变器电力损耗,现已开始量产。
2012-12-26
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高功率的前端PD接口控制器的设计电路
Microsemi的前端PD接口控制器提供通信市场上的最高水平的功率,内置0.3Ω隔离开关和浪涌电流限制器,此装置可实现更广泛的覆盖率为PoE通信应用,包括户外IP摄像机和显示器。
2012-12-26
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如何根据应用选择LED驱动?
LED驱动IC性能要根据不同应用来看,不能一概而论。线性稳压器来转换电压会面临功耗问题,开关方式则有噪声的问题。
2012-12-26
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什么是矢量网络分析仪
矢量网络分析仪器 一种电磁波能量的测试设备。矢量网络分析仪的原理与使用力直接取决于系统的动态范围指标。相位波动参数的测试是利用矢量网络分析仪的电子延迟(Electrical Delay)功能来实现的。
2012-12-26
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小功率充电器的设计
单端输出IC为UC3842,其8脚输出5 V基准电压,2脚为反相输入,1脚为放大器输出,4脚为振荡电容C9,电阻R7输入端,5脚为接地端,3脚为过流保护端,6脚为调宽单脉冲输出端,7脚为电源输入端。
2012-12-25
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什么是陶瓷电容器?
陶瓷电容器(ceramic capacitor;ceramic condenser ) 就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。 陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称。其品种繁多,外形尺寸相差甚大。
2012-12-23
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四款用于极小口径终端的砷化镓放大器
TriQuint推出四款新放大器,采用创新封装来简化组装,它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。
2012-12-21
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2013年电子晶圆市场将增长6%
IC Insights表示,2013年全球GDP成长率预测为3.2%,主要动力来自于中国与美国经济状况改善,包括美国房市需求、以及就业市场用人需求转强,以及中国的工厂产能与零售业销售额加速成长。
2012-12-21
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门禁系统原理
门禁系统,又称出入管理控制系统,是一种管理人员进出的数字化管理系统。常见的门禁系统有:密码门禁系统,非接触 IC 卡 ( 感应式 IC 卡 ) 门禁系统,指纹虹膜掌型生物识别门禁系统等的总称。密码门禁系统由于其本身的安全性弱和便捷性差已经面临淘汰,生物识别门禁。
2012-12-21
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简化电动自行车设计三相栅极驱动IC
IR推出IR3230SPbF三相栅极驱动IC,专为电动自行车应用而设计,通过集成所有必要的功能及保护性能,提供比分立式方案更加坚固耐用和可靠的解决方案。能够在48V电池系统下操作,且整合了多项保护功能,从而减少器件数量并提升系统的可靠性。
2012-12-20
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性能优于Si材料的SiC萧特基二极管
Microsemi新型SiC萧特基二极管提升功率转换效率,与硅(Si)材料相较,碳化硅(SiC)材料具有多项优势,包括较高的崩溃电场强度和更佳导热率,这些特性可让设计人员制作具有更好性能特性的组件。
2012-12-20
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