逆变器-元器件,电路图讲解,元器件选型与采购,最专业的电子元件门户网站

为你找到相关结果532个

Vishay发布用于工业传动和逆变器的3相圆柱形电容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器---EMKP。电容器可处理高电流，具有400VAC～1650VAC的9种标准电压等级，以及丰富的容值和封装选项。

2012-07-02
电装推出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

由电装与丰田汽车及丰田中央研究所的共同研发，采用SiC功率元件制成的逆变器，其输出功率密度高达60kW/L。该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC，同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化，从而降低了电力损耗。

2012-06-26
英飞凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件开关损耗大幅降低

英飞凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，与IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。

2012-06-21
罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET一体化封装可替代Si-IGBT

罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，与Si-IGBT相比，工作损耗降低了70％，达到50kHz以上的开关频率

2012-06-18
博世：推进电动动力传动系统模块化，以规模降成本

德国博世公司2012年6月11日在日本东京面向新闻媒体举行了技术演讲会，公布了电动动力传动系统相关战略。汽油系统事业部董事、负责电动化系统的斯蒂芬•卡普曼（Stephan Kampmann）言道：“将通过马达、逆变器及充电电池等的模块化降低成本，以此增加向汽车厂商的供货。”

2012-06-14
逆变器中能量缓冲器的电容选型原则

太阳能逆变器中DC/DC转换和DC/AC转换之间的能量缓冲器会吸收掉两个转换器之间功率流的差值。成功实现这个过程在很大程度上取决于能量缓冲器选择的电容器。本文介绍了如何根据能量缓冲器的需求在薄膜电容器和铝电解电容器之间进行取舍。

2012-06-11
RUBYCON小型化高可靠性薄膜电容专为逆变器应用开发

当前多数的工业机械为了达到节省能源的目的，而采用控制精确更高的变频器技术，所使用电容当中，薄膜电容份额不断增加，并成为主导，主要是因为薄膜电容有众多优势。RUBYCON开发出了三个系列小型化、重量轻、低成本、高可靠性的大型薄膜电容。

2012-06-05
TDK集团成员爱普科斯(EPCOS)保护太阳能装置的低成本方案

对贵重太阳能装置及其电子配备的过电压与电流浪涌的可靠保护日益重要。贵重太阳能装置有什么可靠且成本较低的解决方案呢？看看TDK集团成员爱普科斯(EPCOS)热保护压敏电阻和气体放电管吧。对逆变器实现全面保护，保险标准要求再高也不怕。

2012-05-25
英飞凌推出光伏发电逆变器耐压1200V SiC型FET

德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，新产品的主要用途为光伏发电的逆变器装置。如果采用SiC型FET代替现有逆变器装置中使用的IGBT，便可实现装置的小型轻量化。这是因为新产品可实现高于IGBT的工作速度。也就是说，即便提高工作频率，也能降低开关损失。因此，电感器及电容器等被动元件可使用小型产品，所以能够实现整个装置的小型轻量化。

2012-05-24
罗姆开发出业内最小的车载绝缘元件内置型半导体

随着电动汽车、混合动力车的普及，为了提高性能，亟需使作为动力部分的逆变器电路进一步实现小型化，由于车载逆变器每台配备6个栅极驱动IC，因此要实现逆变器电路的小型化，需要先缩小栅极驱动IC的体积。为了防止触电，此前必须使用外置绝缘元件。日本罗姆公司日前开发出了业内最小的车载绝缘元件内置型半导体装置栅极驱动IC可满足这一需求。

2012-05-22
业界最小！罗姆开发出车载用内置绝缘元件的栅极驱动器

罗姆株式会社开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术，作为内置了绝缘元件的栅极驱动器，是业界最小(截至2012年5月22日,根据罗姆的调查)的小型封装，有助于逆变器电路的小型化。另外，与传统的光耦方式相比，可大幅降低耗电量，而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求，可减少设计时的工作量。

2012-05-22
Microsemi新款1200V非穿通型IGBT开关和导通损耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

2012-05-21

首页上一页 29 30 31 32 33 34 35 36 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

关闭

关闭