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纯固态+补盲 车载激光雷达竞争迎来新局面
禾赛科技正式发布了面向ADAS前装量产车的纯固态近距补盲激光雷达FT120。11月7日，速腾聚创在其Tech Day上也发布了基于自研芯片和全新技术平台的全固态补盲激光雷达RS-LiDAR-E1，也同样面向前装量产。而在更早的5月份，亮道智能就已经率先发布了其第一代纯固态侧向补盲激光雷达产品LDSatellite。
2022-11-17
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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为：导通时
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。
2022-11-16
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让电动汽车牵引逆变器设计更灵活，成本更优的反激控制器
在全球气候变暖和和双碳的背景下，以电能驱动车辆的交通方式在未来出行将占据主要地位。牵引逆变器（Traction Inverter）作为新能源汽车中重要的信号和能量传递部件，将动力电池输出的直流电逆变为三相交流电驱动电机，同时接收来自整车控制器和控制机构（制动踏板、油门踏板、换挡机构）的信息对电机的工作加以控制。德州仪器可在此应用中提供符合AEC-Q100 标准的反激控制器电源方案。
2022-11-11
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Interlock互锁电路在不同驱动器下的实现
在电机驱动、逆变电源等应用中，桥式电路是最基本的拓扑，典型三相桥式逆变电路如下图1所示。而桥式电路中的任一桥臂，其上下管一般采用180°导通方式，即上下管互补开关，为避免上下管直通，可采用插入死区的方式把上下管导通时刻错开。但是，实际应用中微控制器可能因为程序错乱或上电过程中IO默认高电平等原因，使得上下管驱动信号同时为高电平（有效电平），从而上下管发生同时导通（Shoot Through），这将可能带来烧坏功率模块的严重后果。Interlock即互锁电路就是针对该工况而设计的，可有效提高系统可靠性。
2022-11-09
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基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系统
在聚合酶链式反应（Polymerase chain reaction, PCR）设备中，需要通过控制试管内的温度使得管内的DNA进行高温变性（将DNA解螺旋为双链DNA）、低温退火（将引物与模板DNA进行互补配对）、中温延伸（在恒温的作用下进行扩增）。图1展示了NDA复制的温度控制周期。
2022-11-09
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贸泽与ST合作推出新电子书，探讨响应式边缘人工智能的未来
2022年11月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与STMicroelectronics (ST) 合作推出新电子书《Intelligence at the Edge》（边缘智能），探讨部署在边缘的人工智能 (AI) 与机器学习 (ML) 的新发展。书中来自贸泽和ST的主题专家深入分析了边缘AI和ML开发的挑战和应用，其精选文章涵盖智能传感器、嵌入式神经网络和响应式AI等主题。
2022-11-03
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2022年“创造未来”设计大赛圆满成功
2022年11月1日 – 全球电子元器件授权分销商和“创造未来”设计大赛赞助商贸泽电子 (Mouser Electronics) 向2022年大赛获胜团队表示祝贺，特别颁奖晚宴将于11月份举行。这是SAE International 公司旗下的SAE Media Group主办的第20届年度大赛，由贸泽与其重要供应商Intel®和Analog Devices, Inc共同赞助。
2022-11-01
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[技术浅谈 TechTalk] TVS简介
PN结二极管具有正向导通，反向关断的特性，通过不同的材料、掺杂、外延以及工艺的改进使其广泛应用于电力电子行业功率变换与电路保护，TVS二极管具有响应速度快、漏电流小、钳位电压稳以及无寿命衰减的特性，从小到信号线静电防护，大到电力系统抗雷击浪涌，TVS都发挥着至关重要的作用。本章对TVS工作机理与核心参数展开分析，供产品选型参考。
2022-10-31
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ADI和Keysight Technologies强强联手 共推相控阵技术加速部署
中国，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控阵技术的推广与部署。相控阵技术能够简化与创建卫星通信、雷达和相控阵系统相关的开发工作，是实现无处不在的连接和泛在检测的关键。
2022-10-18
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瑞萨电子完成对Steradian的收购
2022 年 10 月 17 日，日本东京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成对提供4D成像雷达解决方案的无晶圆半导体公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收购。
2022-10-18
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测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项：一般测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2022-10-11
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助推电动汽车发展的新动力：Soitec 的 SmartSiC™
如果说人类世界当前面临的最紧迫危机是如何降低二氧化碳排放量，以减缓已经造成的灾难性环境破坏以及人口损害，那么，在当前的地球温室气体排放中，交通业的“贡献”最大，传统上它已被视为重要的污染源。
2022-10-11
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