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DFN系列：Vishay精密薄膜表面贴装电阻网络和分压电阻
日前，Vishay宣布，推出业界首款精密薄膜表面贴装电阻网络和分压电阻 --- DFN系列。器件采用引脚间距为0.65mm、厚度为1mm的4mm x 4mm双平面无铅封装。与传统的5mm x 6mm SOIC 8引线封装相比，DFN系列的新封装可节省53%的印制电路板空间。
2009-08-25
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军工/航天电子应用对钽电容的挑战
——Vishay电容器部门高级产品市场总监Mosier, Michael L.专访钽电容因为可靠性高、寿命长、高容量的特点，在军工/航天电子系统里有大量应用，同时钽电容的小型化也满足了系统小型化的要求。Vishay是钽电容的主要供应商之一，本届西部电子论坛上，来自Vishay的钽电容专家Mosier, Michael L.和黄勇将发表《高可靠性钽电容器在军工/航天市场的应用》的主题演讲。
2009-08-21
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Vishay高性能精密无磁薄膜电阻
日前，Vishay宣布，推出新款PNM系列精密无磁薄膜电阻。在-55℃～+125℃的宽温范围内，这些器件具有低至±25ppm/℃的标准TCR，经过激光微调后的容差只有±0.1%。
2009-08-20
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SMNH：Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四电阻网络
日前，Vishay宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度Bulk Metal箔四电阻网络 -- SMNH电阻网络。
2009-08-20
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SiB4xxDK：Vishay采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。
2009-08-18
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Si4628DY ：Vishay新款低导通电阻单片MOSFET和肖特基SkyFET产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出使用该公司最新TrenchFET技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未有的最低导通电阻，在10V和4.5V栅极驱动电压下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。
2009-08-14
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PLT系列：Vishay稳定性极高的TCR薄膜电阻
日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜电阻。在-55℃～+125℃的温度范围内，新器件的标准TCR为±5ppm/℃，容差低至±0.02%。
2009-08-11
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MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面贴装1A整流器具有超快反向恢复时间
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面贴装的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的电压范围为100V～200V，25ns的超快反向恢复时间可满足高频应用的要求。
2009-08-10
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TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光电传感器
日前，Vishay宣布推出通过AEC-Q101认证的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面贴装透射式(断续式)光电传感器，可用于汽车市场。今天推出的传感器是业内首款达到+145℃的结温等级、-40℃～+125℃的工作温度范围和潮湿敏感度等级1(MSL1)的器件。
2009-08-07
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MSE1Px：Vishay具有高达25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保护高达25kV的系列低尺寸表面贴装整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
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Vishay推出三款采用不同封装的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
2009-08-03
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。
2009-07-31
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