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详解MOS管工作动画原理图
绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时温度简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。
2019-03-05
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浅析采用双极型晶体管的直流250mV转换器
直流250mV转换器描述如下：它基于一个硅双极型晶体管(BJT)，可在低于250mV电压下工作，这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。
2018-11-30
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场效应晶体管的输出曲线（实例解读）
场效应晶体管的输出曲线如何理解？场效应管输出特性曲线分为三个区：可变电阻区、恒流区和击穿区。VDS较小时，场效应管工作在可变电阻区，ID近似随VGS作线性变化。VDS较大时，工作在恒流区，ID保持稳定，不随VGS的变化而改变。当VDS大于某一临界值时，进入击穿区，ID开始迅速增大，场效应管不能正常工作。下面通过一些实例问答来帮助大家加深对场效应晶体管的输出曲线的认知。
2018-11-06
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通俗易懂的解析场效应管
场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，呵呵，如果这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速提高的哦！
2018-10-17
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LCE15P25JK替代IRF6215SPDF 传导骚扰CE问题分析报告
场效应管MOSFET为压控元件，广泛应用于消费电子、电动交通工具、电源管理、工业应用、照明等领域。 MOSFET只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，这就是经典的开关作用，用场效应管MOSFET作开关还能减少功耗，开关特性较好。
2018-10-09
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增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路介绍
一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)约为0.04Ω，则在lA时约为0.04V。
2018-09-17
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堪称工业中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
2018-07-18
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了解MOS管，看这个就够了！
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
2018-05-17
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功率半导体，大涨价下的国产替代之路
功率半导体器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变频等变换。一般将额定电流超过 1A 的半导体器件归类为功率半导体器件，这类器件的阻断电压分布在几伏到上万伏。常见的功率半导体器件有金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块等。
2017-12-28
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第三代半导体材料盛行，GaN与SiC如何撬动新型功率器件
功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN) 为代表的宽禁带功率管过渡。
2017-04-24
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小器件大作用，五大关键点解读什么是MOS管
MOS管属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
2017-04-20
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关于直流电源输入防反接保护电路的设计
极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。
2016-10-31
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